[发明专利]液晶显示器响应时间的量测系统及其量测方法在审
| 申请号： | 202010804314.2 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111965860A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 海博 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刘泳麟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 响应 时间 系统 及其 方法 | ||
1.一种液晶显示器响应时间的量测方法，其特征在于，所述方法包括：
获取基准温度下的所述液晶显示器的基准响应时间以及液晶参数组的基准数值；
获取第一温度下所述液晶参数组的第一数值；以及
将所述基准响应时间、所述基准数值以及所述第一数值代入量测公式，以得出所述第一温度下所述液晶显示器的第一响应时间。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器响应时间的量测方法，其特征在于，所述液晶参数组包括液晶粘滞系数、液晶水平和垂直方向介电常数差以及液晶水平面转动或垂直面转动受到的回复力。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器响应时间的量测方法，其特征在于，所述量测公式包括：
其中，Tr第一温度为所述第一温度下的上升响应时间，Tf第一温度为所述第一温度下的下降响应时间，γ第一温度为所述第一温度下的液晶粘滞系数，△ε第一温度为所述第一温度下的液晶水平和垂直方向介电常数差，K第一温度为所述第一温度下的液晶水平面转动或垂直面转动受到的回复力，Tr基准温度为所述基准温度下的上升响应时间，Tf基准温度为所述基准温度下的下降响应时间，γ基准温度为所述基准温度下的液晶粘滞系数，△ε基准温度为所述基准温度下的液晶水平和垂直方向介电常数差，K基准温度为所述基准温度下的液晶水平面转动或垂直面转动受到的回复力，以及d为液晶盒厚、ε0为真空介电常数、E为电场强度。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器响应时间的量测方法，其特征在于，所述第一响应时间包括所述第一温度下的上升响应时间以及所述第一温度下的下降响应时间。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器响应时间的量测方法，其特征在于，所述液晶显示器包括水平偏转型液晶或垂直偏转型液晶。
6.一种液晶显示器响应时间的量测系统，其特征在于，包括：
量测获取模块，用于获取所述液晶显示器对应第一温度下液晶参数组的第一数值，以及对应基准温度下所述液晶参数组的基准数值以及基准响应时间；以及
运算模块，将所述第一数值、所述基准数值以及所述基准响应时间代入量测公式，以得到所述第一温度下所述液晶显示器的第一响应时间。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器响应时间的量测系统，其特征在于，所述液晶参数组包括液晶粘滞系数、液晶水平和垂直方向介电常数差以及液晶水平面转动或垂直面转动受到的回复力。
8.根据权利要求6所述的液晶显示器响应时间的量测系统，其特征在于，所述量测公式包括：
其中，Tr第一温度为所述第一温度下的上升响应时间，Tf第一温度为所述第一温度下的下降响应时间，γ第一温度为所述第一温度下的液晶粘滞系数，△ε第一温度为所述第一温度下的液晶水平和垂直方向介电常数差，K第一温度为所述第一温度下的液晶水平面转动或垂直面转动受到的回复力，Tr基准温度为所述基准温度下的上升响应时间，Tf基准温度为所述基准温度下的下降响应时间，γ基准温度为所述基准温度下的液晶粘滞系数，△ε基准温度为所述基准温度下的液晶水平和垂直方向介电常数差，K基准温度为所述基准温度下的液晶水平面转动或垂直面转动受到的回复力，以及d为液晶盒厚、ε0为真空介电常数、E为电场强度。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器响应时间的量测系统，其特征在于，所述第一响应时间包括所述第一温度下的上升响应时间以及所述第一温度下的下降响应时间。
10.根据权利要求6所述的液晶显示器响应时间的量测系统，其特征在于，所述液晶显示器包括水平偏转型液晶或垂直偏转型液晶。
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