[发明专利]有机发光装置及包括所述有机发光装置的设备在审
申请号: | 202010804896.4 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112614962A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 金孝净;金民齐;金应道;金贤英;申孝燮;尹锡奎;李荣基;李廷涉;李汦映;郑惠珍;赵根昱;赵显九;崔珉洙;崔永恩;柳在镇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 包括 设备 | ||
1.有机发光装置,包括:
第一电极,
第二电极,以及
在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层,
其中所述有机层包括发射层,
所述发射层包含第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物,
所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同,
所述第三化合物包含具有40或大于40的原子序数的金属元素,
所述第四化合物包含硼,
所述第三化合物和所述第四化合物各自满足以下条件1-1和条件1-2,以及
所述第四化合物满足条件2和/或条件3:
条件1-1
T1(C3)起始≥S1(C4)起始
条件1-2
T1(C3)最大≥S1(C4)最大
条件2
KRISC(C4)≥103S-1
条件3
f(C4)≥0.1,
其中,在条件1-1、条件1-2、条件2和条件3中,
S1(C4)起始是在所述第四化合物的光致发光光谱中的起始波长处的所述第四化合物的单重态能量;
T1(C3)起始是在所述第三化合物的光致发光光谱中的起始波长处的所述第三化合物的三重态能量;
S1(C4)最大是在所述第四化合物的光致发光光谱中的最大发射波长处的所述第四化合物的单重态能量;
T1(C3)最大是在所述第三化合物的光致发光光谱的最大发射波长处的所述第三化合物的三重态能量;
KRISC(C4)是所述第四化合物的反向系间窜越常数;以及
f(C4)是所述第四化合物的振荡强度。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一化合物由式1表示,
所述第二化合物由式10表示,
所述第三化合物由式3表示,以及
所述第四化合物由式4表示:
式1
式10
式3
M31(L31)n31(L32)n32
其中,在式1、式3、式4和式10中,
X11选自O、S、N(R19)和C(R19)(R20),R11至R20各自独立地选自:
由*-(L11)a11-A11表示的基团、氢、氘、C1-C60烷基基团、π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)和-N(Q1)(Q2);
被选自氘、C1-C60烷基基团、π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中的至少一个取代的π电子耗尽的无氮环状基团;以及
由被选自氘、C1-C60烷基基团、π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中的至少一个取代的π电子耗尽的无氮环状基团取代的π电子耗尽的无氮环状基团,
L11选自:
π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-和-N(Q1)-;以及
被选自氘、C1-C60烷基基团、π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中的至少一个取代的π电子耗尽的无氮环状基团,
a11选自1、2和3,
A11选自:
π电子耗尽的无氮环状基团;
被选自氘、C1-C60烷基基团、π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中的至少一个取代的π电子耗尽的无氮环状基团;以及
由被选自氘、C1-C60烷基基团、π电子耗尽的无氮环状基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中的至少一个取代的π电子耗尽的无氮环状基团取代的π电子耗尽的无氮环状基团,
L101至L103各自独立地选自取代或未取代的C5-C30碳环基团和取代或未取代的C1-C30杂环基团,
a101至a103各自独立地选自0、1和2,以及
R101至R103各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)和-P(=S)(Q1)(Q2),以及
M31选自元素周期表的第4周期、第5周期和第6周期的过渡金属,
L31为由选自式3A至式3D中的一个表示的配体,
L32选自单齿配体、双齿配体和三齿配体,
n31选自1和2,
n32选自0、1、2、3和4,
A31至A34各自独立地选自C5-C30碳环基团和C1-C30杂环基团,
T31至T34各自独立地选自单键、双键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(=O)-*'、*-S(=O)-*'、*-C(R35)(R36)-*'、*-C(R35)=C(R36)-*'、*-C(R35)=*'、*-Si(R35)(R36)-*'、*-B(R35)-*'、*-N(R35)-*'和*-P(R35)-*',
k31至k34各自独立地选自1、2和3,
Y31至Y34各自独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R37)(R38)-*'、*-Si(R37)(R38)-*'、*-B(R37)-*'、*-N(R37)-*'和*-P(R37)-*',
*1、*2、*3和*4各自表示与M31的连接位点,
R31至R38各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)和-P(=S)(Q1)(Q2),其中R31至R38任选地彼此连接以形成取代或未取代的C5-C60碳环基团或者取代或未取代的C1-C60杂环基团,
b31至b34各自独立地为0至10的整数,
X41为N、B、P(=)(R44)或P(=S)(R44),
Y41至Y43各自独立地为O、S、N(R45)、B(R45)、C(R45)(R46)或Si(R45)(R46),
k41为0或1,其中,当k41为0时,-(Y41)k41-不存在,
A41至A43各自独立地选自C5-C30碳环基团和C1-C30杂环基团,
R41至R46各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)和-P(=S)(Q1)(Q2),其中R41至R46任选地彼此连接以形成取代或未取代的C5-C30碳环基团或者取代或未取代的C1-C30杂环基团,
b41至b43各自独立地为0至10的整数,
Q1至Q3、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团,
以及
*表示与相邻原子的连接位点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择