[发明专利]一种LDMOS结构及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS结构，其特征在于，包括：

半导体衬底(1)；

阱区(2)，位于所述半导体衬底(1)中；

体区(3)，位于所述半导体衬底(1)的阱区(2)一侧，所述体区(3)的结深小于所述阱区(2)的结深，所述体区(3)和所述阱区(2)横向交叠；

栅极结构(4)，其包括叠加形成的多晶硅栅(41)和栅介质层(42)，所述栅介质层(42)覆盖所述体区(3)的表面且所述栅介质层(42)的第二侧面延伸到所述阱区(2)的表面；

源极结构(5)，位于所述体区(3)表面并与所述栅介质层(42)的第一侧面对准；

漏极结构(6)，位于所述阱区(2)表面并靠近所述栅介质层(42)的第二侧面；

漂移区(7)，位于所述栅极结构(4)、漏极结构(6)的交接区域，且其掺杂浓度从所述栅极结构(4)开始沿横向逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的LDMOS结构，其特征在于，所述漂移区(7)的掺杂浓度从所述栅极结构(4)开始沿横向逐渐增加时的变化率随掺杂浓度的增加而变动。

3.一种LDMOS结构的制作方法，其特征在于，基于如权利要求1所述的LDMOS结构，包括以下步骤：

在半导体衬底(1)中形成阱区(2)，在阱区(2)一侧的半导体衬底(1)内形成体区(3)；

形成横跨覆盖部分所述体区(3)、阱区(2)的栅极结构(4)，在栅极结构(4)一侧的体区(3)上形成源极结构(5)，在栅极结构(4)另一侧的阱区(2)上形成漏极结构(6)；

在所述栅极结构(4)、漏极结构(6)的交接区域形成位于所述阱区(2)内的漂移区(7)，在所述漂移区(7)的两侧形成位于所述阱区(2)上的阻挡层(9)；

对所述漂移区(7)进行掺杂；

在所述栅极结构(4)、漏极结构(6)的交接区域形成覆盖在所述漂移区(7)上的介质层(8)；

对介质层(8)进行倾斜离子注入，以使介质层(8)的表层得以掺杂，且掺杂的深度随着离体区(3)越远而越深，并形成掺杂介质层(81)；

对掺杂介质层(81)进行腐蚀或蚀刻，以形成高度逐渐变化的剩余介质层(82)；

对所述漂移区(7)进行高温退火，以形成掺杂浓度从所述栅极结构(4)开始沿横向逐渐增加的漂移区(7)，去除剩余介质层(82)和阻挡层(9)。

4.根据权利要求3所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，倾斜离子注入时，倾斜离子沿栅极结构(4)到漏极结构(6)的方向斜向下入射，倾斜离子入射方向与水平方向具有夹角。

5.根据权利要求4所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，所述夹角为15-60°。

6.根据权利要求3-5任意一项所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，倾斜离子的离子源为二氟化硼，所述二氟化硼注入的能量为3-30KeV，剂量为1e¹³-1e¹⁴/cm²；或

倾斜离子的离子源为硼，所述硼注入的能量为3-6KeV，剂量为1e¹³-1e¹⁴/cm²。

7.根据权利要求3所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，所述介质层(8)在成型后、进行倾斜离子注入前为初始介质层，所述初始介质层掺杂。

8.根据权利要求3所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，在所述栅极结构(4)、漏极结构(6)的交接区域形成覆盖在所述漂移区(7)上的介质层(8)时，所述介质层(8)的成型温度为50～150度。

9.根据权利要求3-5和7-8中任意一项所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，所述漂移区(7)的掺杂浓度从所述栅极结构(4)开始沿横向逐渐增加时的变化率随掺杂浓度的增加而变动。

10.根据权利要求3-5和7-8中任意一项所述的LDMOS结构的制作方法，其特征在于，所述剩余介质层(82)的高度逐渐变化时的变化率随高度的变化而变动。