[发明专利]一种Ka波段宽带上变频器

权利要求书

1.一种Ka波段宽带上变频器，其特征在于：包括连接的第一部分电路（100）和第二部分电路（200），所述宽带上变频器包括单端的中频端口、本振端口和射频端口，中频端口为第一部分电路（100）的输入端口，输入信号为中频输入信号（V_IF,IN），本振端口和射频端口分别为第二部分电路（200）的输入端口和输出端口，输入信号为单端本振信号（V_LO），输出信号为射频输出信号（V_RF,OUT）；

所述第一部分电路（100）包括有源单端转差分电路和可调负载电路，有源单端转差分电路的输入端为中频端口，输入中频输入信号（V_IF,IN），用于将宽带上变频器的单端信号转换为差分信号，输出中频电压差分信号；可调负载电路输入中频电压差分信号，用于调节有源单端转差分电路带来的电路不对称性；

所述第二部分电路（200）包括吉尔伯特单元、本振输入匹配网络和射频输出匹配网络；所述本振输入匹配网络输入端为本振端口，输入单端本振信号（V_LO），用于将输入的单端信号转换为差分信号的同时，实现宽带匹配，输出差分本振信号；所述吉尔伯特单元的输入为中频电压差分信号和差分本振信号，用于将中频电压差分信号转换为中频电流信号，进而与差分本振信号混频，输出混频电压差分信号；所述射频输出匹配网络的输入混频电压差分信号，用于实现宽带输出匹配，并进行差分转单端输出，输出端为射频端口，输出信号为宽带上变频器的射频输出信号（V_RF,OUT）。

2.根据权利要求1所述的一种Ka波段宽带上变频器，其特征在于：所述有源单端转差分电路包括第一晶体管（101）、第二晶体管（102）、第三晶体管（103）和第一电容（106），第一电容（106）的一端接中频输入信号（ V_IF,IN ），另一端与第一晶体管（101）的漏极、第二晶体管（102）的栅极、第三晶体管（103）的源极相接；第一晶体管（101）和第三晶体管（103）的栅极分别与第一偏置电压（V_bias1）和第二偏置电压（V_bias2）连接，第一晶体管（101）的源极与第二晶体管（102）的源极连接电源，第二晶体管（102）和第三晶体管（103）的漏极输出中频电压差分信号。

3.根据权利要求2所述的一种Ka波段宽带上变频器，其特征在于：所述第一晶体管（101）、第二晶体管（102）、第三晶体管（103）为PMOS管，第二晶体管（102）和第三晶体管（103）的尺寸相同。

4.根据权利要求2所述的一种Ka波段宽带上变频器，其特征在于：所述可调负载电路包括第四晶体管（104）、第一电阻（107）、第五晶体管（105）和第二电阻（108），第一电阻（107）的一端连接第三晶体管（103）的漏极，另一端连接第四晶体管（104）的漏极；第二电阻（108）的一端连接第二晶体管（102）的漏极，另一端连接第五晶体管（105）的漏极，第四晶体管（104）和第五晶体管（105）的源极接地，第四晶体管（104）的栅极连接第一控制电压（V_control1），第五晶体管（105）的栅极连接第二控制电压（V_contro2 ）。