[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，其包括：

在位于衬底上的缓冲层上形成牺牲材料的棋盘图案，其中光电二极管阵列设置在所述衬底中，使得所述缓冲层设置在所述牺牲材料与所述光电二极管阵列之间，其中所述棋盘图案由布置在所述光电二极管阵列上方的所述牺牲材料的单个块形成，以形成多个空腔，其中所述光电二极管阵列包括第一光电二极管和第二光电二极管，所述第二光电二极管沿所述光电二极管阵列的给定行或给定列而设置邻近于所述第一光电二极管，其中包括在所述多个空腔中的单个空腔和所述牺牲材料的所述单个块交替地布置在所述光电二极管阵列的所述给定行或所述给定列上方，使得所述缓冲层设置在所述第一光电二极管与所述牺牲材料的所述单个块中的一个块之间，并且所述缓冲层进一步设置在所述第二个光电二极管与包括在所述多个空腔中的所述单个空腔中的一个空腔之间；

在所述棋盘图案中布置的所述牺牲材料的所述单个块的侧壁上形成间隔件图案，所述间隔件图案限定具有开口的栅格；

在形成所述牺牲材料的所述棋盘图案之前，在所述缓冲层上形成支撑材料图案，其中所述支撑材料图案设置在所述缓冲层与所述间隔件图案之间，且其中所述支撑材料图案被结构化以形成第二开口，所述第二开口中的每一个经定位以与由所述间隔件图案形成的开口中的对应一个重叠；

去除所述牺牲材料；及

在所述间隔件图案的所述开口中形成滤色器阵列，且其中所述滤色器阵列进一步延伸到由所述支撑材料图案形成的所述第二开口中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述牺牲材料的所述棋盘图案包括：沉积所述牺牲材料的层；以及使用干法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲材料的层，其中所述去除所述牺牲材料包括使用湿法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲材料以形成所述棋盘图案。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述牺牲材料的所述棋盘图案之前在所述支撑材料图案上形成粘合剂材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述牺牲材料上形成所述间隔件图案进一步包括在位于所述支撑材料图案上的所述粘合剂材料层上形成所述间隔件图案。

5.根据权利要求3所述的方法，其中在所述牺牲材料的所述单个块的所述侧壁上形成所述间隔件图案进一步包括在位于所述支撑材料图案上的所述粘合剂材料层的中心上形成所述间隔件图案。

6.根据权利要求3所述的方法，其中在位于所述衬底上的所述缓冲层上形成所述牺牲材料的所述棋盘图案进一步包括在位于所述支撑材料图案上的所述粘合剂材料层的一部分上形成所述牺牲材料的所述棋盘图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在位于所述衬底上的所述缓冲层上形成所述牺牲材料的所述棋盘图案进一步包括在所述缓冲层上形成对应于所述牺牲材料的所述单个块的多个矩形棱柱，其中所述多个矩形棱柱中的每一个包括所述牺牲材料，且其中所述多个矩形棱柱是彼此分离且间隔开。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述缓冲层上形成额外牺牲材料图案，其中所述额外牺牲材料图案的侧壁限定所述间隔件图案的外周。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述牺牲材料的所述棋盘图案包括：沉积所述牺牲材料的层；以及刻蚀所述牺牲材料的所述层以形成所述多个空腔并露出包括在所述光电二极管阵列中的交替光电二极管，且其中所述多个空腔中的每个的宽度大于包括在所述光电二极管阵列中的下层光电二极管的对应宽度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料的所述棋盘图案包括相对于所述光电二极管阵列对角排列的所述单个块，且其中所述单个块的对角线设置在所述多个空腔的邻近对角线之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述间隔件图案形成的所述栅格包括多个间隔件，且其中所述多个间隔件中的每一个的厚度小于或等于0.05μm，且其中所述多个间隔件中的至少一个具有至少18:1的横纵比。