[发明专利]一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于，包括：

衬底(1)；

二氧化硅介质层(2)，设于衬底(1)上；

InAsSb纳米线(3)，外部包覆Al₂O₃介质层(4)并设于二氧化硅介质层(2)上；所述InAsSb纳米线(3)一端引出有第一电极(3-1)，另一端引出有第二电极(3-2)；

铁电薄膜栅(5)，旋涂在Al₂O₃介质层(4)上；

透明栅电极(6)，设置于铁电薄膜栅(5)顶部。

2.根据权利要求1所述的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于：所述衬底(1)为硼重掺杂且电阻率小于0.05Ω·cm的硅衬底。

3.根据权利要求1所述的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于：所述InAsSb纳米线(3)直径小于80nm，长度大于4μm，Sb组分为10％。

4.根据权利要求所述1的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于：所述二氧化硅介质层(2)厚度为280-290nm；所述Al₂O₃介质层(4)厚度为25-35nm。

5.一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

步骤一、提供一基底；

步骤二、在基底上合成生长出InAsSb纳米线(3)；

步骤三、对InAsSb纳米线(3)进行初步钝化处理；

步骤四、对InAsSb纳米线(3)进行二次钝化处理，在InAsSb纳米线(3)表面沉积Al₂O₃介质层(4)；

步骤五、将二次钝化处理后的InAsSb纳米线(3)转移在二氧化硅介质层(2)上，并从InAsSb纳米线(3)两端分别引出第一电极(3-1)和第二电极(3-2)；

步骤六、在转移好的InAsSb纳米线(3)上旋涂铁电薄膜材料形成铁电薄膜栅(5)；

步骤七、在铁电薄膜栅(5)顶部引出透明栅电极(6)。

6.根据权利要求所述5的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤一中基底为SiO₂或Si。

7.根据权利要求所述5的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤二中采用化学气相沉积法在基底上合成生长出InAsSb纳米线(3)。

8.根据权利要求所述5的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤三具体为：采用硫化处理工艺对InAsSb纳米线(3)进行初步钝化处理。

9.根据权利要求所述8的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述硫化处理工艺对InAsSb纳米线(3)进行初步钝化处理具体为：使用硫化铵溶液浸泡腐蚀InAsSb纳米线(3)。

10.根据权利要求所述5的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤四具体为：采用原子层沉积技术进行二次钝化处理，在InAsSb纳米线(3)表面沉积Al₂O₃介质层(4)。