[发明专利]微型电流传感器精度校准方法、装置、计算机设备和存储介质

权利要求书

1.一种微型电流传感器精度校准方法，其特征在于，包括：

获取微型电流传感器的第一TMR芯片与第二TMR芯片之间的第一测量距离，以及所述第一TMR芯片与第三TMR芯片之间的第二测量距离；其中，所述第一TMR芯片、所述第二TMR芯片和所述第三TMR芯片位于同一直线上，所述第一TMR芯片、所述第二TMR芯片和所述第三TMR芯片的磁敏感方向同方向且均位于各芯片所在直线上；

分别获取所述第一TMR芯片、所述第二TMR芯片和所述第三TMR芯片测量的各磁感应强度测量值；其中，所述磁感应强度测量值为各芯片对位于预设位置处的通电载流导线测量得到；

采用粒子群模型处理所述第一测量距离、所述第二测量距离和各所述磁感应强度测量值，得到最优解，且将所述最优解确认为第一距离校准值、第二距离校准值；

基于所述第一距离校准值与所述第二距离校准值，进行所述微型电流传感器的电流测量，以完成传感器精度校准；

所述采用粒子群模型处理所述第一测量距离、所述第二测量距离和各所述磁感应强度测量值，得到最优解，包括：

将粒子的位置表示为由所述第一测量距离、所述第二测量距离组成的二维向量，将每个粒子的初始化位置作为其个体最优位置，根据初始化的所述第一测量距离、初始化的所述第二测量距离和各所述磁感应强度测量值，确认每个粒子的适应值，并将各所述适应值中最小适应值对应的粒子位置，确定为所述粒子群的全局最优位置；

基于所述粒子个体最优位置、所述粒子群全局最优位置、惯性权重、第一学习因子、第二学习因子、最大迭代次数以及收敛精度，对每个粒子的速度和位置进行迭代更新，获取每个粒子迭代更新后位置；

根据每个粒子迭代更新后位置的位置分量，获取每个粒子迭代更新后适应值；

若所述粒子迭代更新后适应值小于所述个体最优位置对应的适应值，则获取粒子迭代更新后适应值对应的当前粒子位置作为个体最优位置，否则不变；

若所述粒子迭代更新后适应值小于所述全局最优位置对应的适应值，则获取粒子迭代更新后适应值对应的当前粒子位置作为全局最优位置，否则不变；

根据计算终止条件得到最终全局最优位置；其中，所述计算终止条件为迭代更新后的全局最优位置所对应的适应值达到收敛精度，或迭代次数达到最大迭代次数；

获取最终全局最优位置的位置分量，确认为所述最优解；

所述根据初始化的所述第一测量距离、初始化的所述第二测量距离和各所述磁感应强度测量值，确认每个粒子的适应值，以及根据每个粒子迭代更新后位置的位置分量，获取每个粒子迭代更新后适应值，包括：

基于以下公式得到所述适应值：

F＝|I₁-I_ref|+|I₂-I_ref|+|I₃-I_ref|

其中，所述预设位置包括第一位置、第二位置和第三位置；

I_ref为所述通电载流导线中的准确参考电流值；

I₁为根据所述第一测量距离、所述第二测量距离、所述第一TMR芯片、所述第二TMR芯片以及所述第三TMR芯片对位于所述第一位置处的所述通电载流导线测得的各磁感应强度值得到的电流值；

I₂为根据所述第一测量距离、所述第二测量距离、所述第一TMR芯片、所述第二TMR芯片以及所述第三TMR芯片对位于所述第二位置处的所述通电载流导线测得的各磁感应强度值得到的电流值；

I₃为根据所述第一测量距离、所述第二测量距离、所述第一TMR芯片、所述第二TMR芯片以及所述第三TMR芯片对位于所述第三位置处的所述通电载流导线测得的各磁感应强度值得到的电流值。