[发明专利]一种芯片电性能测试系统及方法

权利要求书

1.一种芯片电性能测试系统，其特征在于，所述芯片电性能测试系统包括：待测试晶圆、一个正极探针结构和多个负极探针结构；

所述待测试晶圆上划分有多个独立的芯粒，且多个所述芯粒共用N型半导体层，所述N型半导体层的边缘区域设置有多个第一电极焊盘，多个所述第一电极焊盘均匀排布在所述N型半导体层的边缘区域；

每个所述芯粒上均设置有第二电极焊盘；

所述负极探针结构与所述第一电极焊盘的数量相同，且一一对应接触；

其中，在芯片电性能测试过程中，所述正极探针结构分别与每一个所述芯粒的第二电极焊盘接触，以对每一个所述芯粒进行电性能测试。

2.根据权利要求1所述的芯片电性能测试系统，其特征在于，所述芯片电性能测试系统还包括：

承载台，所述承载台的表面用于放置所述待测试晶圆。

3.根据权利要求1所述的芯片电性能测试系统，其特征在于，所述待测试晶圆包括：

衬底；

依次设置在所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

切割道，所述切割道贯穿所述P型半导体层和所述有源层，以形成多个独立的芯粒。

4.根据权利要求3所述的芯片电性能测试系统，其特征在于，所述N型半导体层为N型GaN层。

5.根据权利要求3所述的芯片电性能测试系统，其特征在于，所述P型半导体层为P型GaN层。

6.根据权利要求1所述的芯片电性能测试系统，其特征在于，所述N型半导体层边缘区域的宽度为0.1mm-1mm。

7.根据权利要求1所述的芯片电性能测试系统，其特征在于，所述第一电极焊盘的焊盘数量至少为6个。

8.一种应用于如上述权利要求1-7任一项所述的芯片电性能测试系统的芯片电性能测试方法，其特征在于，所述芯片电性能测试方法包括：

提供一待测试晶圆，所述待测试晶圆上划分有多个独立的芯粒，且多个所述芯粒共用N型半导体层，所述N型半导体层的边缘区域设置有多个第一电极焊盘，多个所述第一电极焊盘均匀排布在所述N型半导体层的边缘区域，每个所述芯粒上均设置有第二电极焊盘；

将多个负极探针结构与多个第一电极焊盘一一对应接触；

选取待测试芯粒，将正极探针结构与所述待测试芯片上的第二电极焊盘接触；

以所述待测试晶圆的中心为测试原点；

建立基准坐标系；

获取所述待测试芯粒在所述基准坐标系中的坐标位置，所述坐标位置包括横坐标和纵坐标；

获取所述待测试晶圆的长度和宽度；

依据所述横坐标、所述纵坐标、所述待测试晶圆的长度和宽度、以及测试机台的测试值，结合计算系数得出所述待测试芯粒的电性能参数VF1=VF1_测试值-K*（（1010000-L1*ABS（X））²+（1010000-L2*ABS（Y））²）^（1/2）/2；

其中，（X，Y）为待测试芯粒的坐标位置；

L1为待测试晶圆的长度；

L2为待测试晶圆的宽度；

VF1_测试值为测试机台的测试值；

K为计算系数。