[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 202010805951.1 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112490167A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 角间央章;沖田有史;犹原英司;增井达哉;出羽裕一 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金辉;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具有:
喷嘴,能够摆动且用于向基板喷出处理液;
拍摄部,用于拍摄所述喷嘴并输出所述喷嘴的图像数据;
位置检测部,用于根据所述图像数据检测所述喷嘴的位置,
所述喷嘴的可摆动范围分别包括至少一个所述喷嘴停止的停止区域和至少一个所述喷嘴移动的移动区域,
在所述停止区域中,所述位置检测部通过使用基准图像数据对所述图像数据进行匹配处理,从而检测所述喷嘴的位置,
在所述移动区域中,所述位置检测部将在所述停止区域检测到的所述喷嘴的位置作为基准,在连续的所述图像数据之间进行循轨处理来检测所述喷嘴的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述喷嘴的可摆动范围包括多个所述停止区域,
根据各个所述停止区域设定所述基准图像数据。
3.权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述位置检测部设定靶区域和判定区域,所述靶区域与所述喷嘴的位置相对应,所述判定区域位于所述靶区域的正下方并且用于判定从所述喷嘴喷出的所述处理液是否喷出,
与所述匹配处理和所述循轨处理联动地变更所述靶区域的大小和所述判定区域的大小。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
还具有:
位置偏离检测部,通过比较由所述位置检测部检测到的所述喷嘴的位置与预先测量的所述喷嘴的基准位置,从而检测所述喷嘴的位置偏离。
5.一种基板处理方法,包括:
拍摄能够摆动且用于向基板喷出处理液的喷嘴,并且,输出所述喷嘴的图像数据的工序;
根据所述图像数据,检测所述喷嘴的位置的工序,
所述喷嘴的可摆动范围分别包括至少一个所述喷嘴停止的停止区域和至少一个所述喷嘴移动的移动区域,
检测所述喷嘴的位置的工序包括:
在所述停止区域,使用基准图像数据对所述图像数据进行匹配处理,从而检测所述喷嘴的位置的工序;
在所述移动区域中,将在所述停止区域中检测到的所述喷嘴的位置作为基准,在连续的所述图像数据之间进行循轨处理来检测所述喷嘴的位置的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010805951.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造