[发明专利]一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺

权利要求书

1.一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1.制绒；

S2.氧化；

S3.正面掺磷非晶硅/背面掺硼非晶硅；

S4.退火；

S5.双面沉积TCO/SiNx-S6.丝网印刷烧结。

2.根据权利要求1所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，步骤S1中，硅片先后经过槽式单晶制绒机在78~84度的工艺温度，在3%-8%体积浓度的KOH和0.01-2%体积浓度的制绒添加剂混合溶液中反应400-600S，通过碱和硅的各向异性反应原理制备金字塔状陷光结构。

3.根据权利要求2所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，步骤S2中，制绒后的硅片在90-100%浓硝酸溶液中，20-60度工艺温度下反应20~300S氧化制备SiO₂层，所述氧化硅层厚度在0.2-5nm范围内。

4.根据权利要求3所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，步骤S3中，正反两面通过PECVD设备在氧化硅表面分别沉积掺杂磷和硼的多晶硅。

5.根据权利要求4所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，所述PECVD基底在腔体真空度低于0.1pa时，对衬底进行升温，所述衬底沉积温度优选的在400~800度范围内，衬底达到目标温度后通入混合反应气体包括PH₃、B₂H₆、SiH₄，所述气体流量通过质量流量控制器进行控制，总的气体流量根据炉管体积进行相应调整。

6.根据权利要求5所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，沉积气压控制在20-80pa，射频功率控制在100-200W，反应气体氢稀释比[PH₃/SiH₄]、[B₂H₆/ SiH₄]分别控制在10^-4-10^-2范围内，沉积时间2-60min，实现薄膜沉积厚度10-120nm。

7.根据权利要求6所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，步骤S4中，退火工序在氮气氛围内550-850温度下退火10-60Min。

8.根据权利要求7所述的叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，其特征在于，TCO薄膜的沉积进一步的包括：特气DEZ/TMA/N₂O/H₂0/N₂/NH₃/SiH₄供应系统和射频电源，温控系统控制炉管内温度在200-450℃范围内均匀且稳定；真空系统控制炉管内压力恒定，范围在500-3000mtorr内调整；特气系统为工艺过程提供反应气体，气体流量可控；射频电源提供高频微波，将反应气体等离子化，增强气体反应活性。