[发明专利]高速NAND接口的基于命令的片上端接

权利要求书

1.一种用于控制非易失性存储设备中的片上端接的方法，其特征在于，包括：

在芯片使能信号线上接收来自控制器的芯片使能信号；

在所述芯片使能信号为开启时，在数据总线上接收来自所述控制器的片上端接ODT命令，所述ODT命令中包括目标ODT设置、非目标ODT设置和自动使能位设置，仅用一个命令就能够使能并配置目标和非目标ODT，其中在一个ODT命令中设置目标ODT和非目标ODT的RTT字段；

解码所述片上端接命令；和

将所述ODT命令中的端接电阻器RTT设置应用于非易失性存储设备中被选择的非易失性存储单元，以使能所述被选择的非易失性存储单元的ODT，其中，当选择的存储单元要作为目标访问时，包含这个存储单元的非易失性存储设备根据所述ODT命令中的目标RTT设置为选择的存储单元配置ODT，而其他存储单元根据它们各自的ODT命令来使能非目标RTT，当第二个存储单元将作为目标访问时，包含第二个存储单元的非易失性存储设备可以根据目标RTT设置为第二个存储单元使能ODT，而先前选择的存储单元和其他存储单元自动使能非目标RTT设置，这样，所述控制器无需发送ODT命令即可从一个目标存储单元切换到另一目标存储单元；当在被选择访问的非易失性存储单元上执行任何动态写操作时，自动使能目标ODT；当在访问其他非易失性存储单元时非目标的非易失性存储单元充当非目标端接器，自动使能非目标ODT。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ODT命令包括命令类型代码、存储单元地址和特征地址，并且所述RTT设置被包括在所述ODT命令的多个数据字段中。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述命令类型代码是用于设置特征的代码，并且所述特征地址指示所述特征是ODT。

4.在根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述芯片使能信号线用于控制对所述非易失性存储设备的访问。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述芯片使能信号线用于控制对包括所述被选择的非易失性存储单元的一对非易失性存储单元的访问。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述芯片使能信号线上接收来自所述控制器的另一芯片使能信号和在所述数据总线上接收来自所述控制器的另一存储单元地址，以选择所述被选择的非易失性存储单元进行数据访问操作；

在所述另一芯片使能信号为开启时，在所述数据总线上接收用于所述数据访问操作的数据访问命令和\或数据；

在所述被选择的非易失性存储单元上自动切换到目标ODT设置用于所述数据访问操作；和

使用所述目标ODT设置执行所述数据访问操作。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述目标ODT设置是高阻抗的ODT电阻值。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括通过随后的ODT命令、读取命令或复位命令来关闭所述被选择的非易失性存储单元的ODT。

9.一种非易失性存储系统，其特征在于，包括：

控制器；和

通过至少一个芯片使能信号线和数据总线连接到所述控制器的非易失性存储设备，所述非易失性存储设备被配置为：

在所述芯片使能信号线上接收来自所述控制器的芯片使能信号，

在所述芯片使能信号为开启时，在所述数据总线上接收来自所述控制器的片上端接ODT命令，所述ODT命令中包括目标ODT设置、非目标ODT设置和自动使能位设置；

解码所述片上端接命令；和

将所述ODT命令中的端接电阻器RTT设置应用于非易失性存储设备中被选择的非易失性存储单元，其中，当在被选择访问的非易失性存储单元上执行任何动态写操作时，自动使能目标ODT；当在访问其他非易失性存储单元时非目标的非易失性存储单元充当非目标端接器，自动使能非目标ODT。