[发明专利]一种TCO与SiNx结合增加太阳能电池减反射膜层在审
| 申请号： | 202010806552.7 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111933720A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王军;张三洋;奥赛马·托贝尔 | 申请（专利权）人： | 无锡琨圣智能装备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/505;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tco sinx 结合 增加 太阳能电池 减反射膜 | ||
1.一种TCO与SiNx结合增加太阳能电池减反射膜层，其特征在于，包括在多晶硅层表面增加透明导电膜，所述透明导电膜为铝掺杂的氧化锌薄膜，所述透明导电膜厚度控制在3-60nm范围。
2.根据权利要求1所述的一种TCO与SiNx结合增加太阳能电池减反射膜层，所述透明导电膜增加在掺磷多晶硅层和氮化硅层中间。
3.一种透明导电膜生长工艺，其特征在于，透明导电膜生长采用PECVD方式或者ALD方式，采用PECVD方式的生长过程如下，通过叠层膜机台在炉管中按比例通入DEZ/TMA/N2O气体，其比例为1:100:200-1:30:20范围，经过射频电源将气体离子化后沉积在硅片表面，控制反应压力在1000-3000mtorr，沉积时间为0.5-10min，沉积温度200-450℃，形成铝掺杂的氧化锌薄膜，膜的厚度控制3-60nm范围。
4.根据权利要求3所述的一种透明导电膜生长工艺，其特征在于，采用ALD方式生长掺杂氧化锌过程如下，通过叠层膜机台控制炉管腔体温度150-400℃内，压力500-3000mtorr，依次通入前驱体DEZ，通入时间 0.5-3s，炉管抽真空，通入N2O气体，通入时间0.5-3s，炉管抽真空，作为ZnO沉积的一个循环；依次通入前驱体TMA ，通入时间0.5-3s，炉管抽真空，通入N2O气体，通入时间0.5-3s，炉管抽真空，作为Al2O3沉积的一个循环，通过以上循环得到[ZnO] n [Al 2 O 3 ] m的掺杂AZO膜，其中n：m在100:1-100:5范围内，形成铝掺杂的氧化锌薄膜，膜的厚度控制3-60nm范围。
5.根据权利要求3、4任意一项所述的一种透明导电膜生长工艺，其特征在于，镀膜后完成后通N2吹扫炉管并抽空，再次通入SiH4、NH3混合气体，其体积比为1:0.5~3，压力控制1000~3000mtorr，温度控制350-450℃，开启射频电源使反应气体离子化并生成SiNx沉积在透明导电膜表面，沉积时间3~20min，沉积厚度10~80nm。
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