[发明专利]电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法有效
申请号: | 202010806924.6 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN111933514B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 代兵;朱嘉琦;王伟华;王杨;舒国阳;韩杰才 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 工艺 制备 外延 金刚石 ir 111 复合 衬底 方法 | ||
1.电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于该制备复合衬底的方法按照以下步骤实现:
一、将α-Al2O3(0001)基底依次在去离子水、无水乙醇和丙酮里进行超声清洗,得到清洗后的α-Al2O3(0001)单晶基底;
二、将清洗后的α-Al2O3(0001)基底固定在样品托的凹槽中,然后放入具有加热装置的电子束蒸发设备腔体里,把Ir颗粒靶材置于石墨坩埚里;
三、依次启动电子束蒸发设备的机械泵和分子泵,使腔体的真空度为8.0×10-5~6.0×10-4Pa,启动加热装置,样品托开始升温;
四、升温使样品托中的α-Al2O3(0001)基底温度达到400~1000℃,稳定温度5~10min,然后打开电子枪电源,控制电子枪的灯丝电流为0.4~1.0A,得到表面温度均匀的α-Al2O3(0001)基底;
五、打开电子枪高压及靶材挡板,调节束流大小为0.180~0.300A,控制蒸镀速率,在表面温度均匀的α-Al2O3(0001)基底表面沉积Ir外延层,得到带有Ir外延层的α-Al2O3(0001)复合衬底;
六、沉积结束后,降低束流到0,关闭靶材挡板和电子枪系统,关闭样品托的加热装置,自然冷却到室温,关闭分子泵及机械泵,充气到大气压,取出复合衬底;
七、将冷却后的复合衬底放置在红外退火炉中,控制退火温度为400~1000℃,通入N2作为保护气,气体流速为20~40sccm,控制退火时间为0.5~2h进行退火,退火结束后,获得Ir(111)/α-Al2O3(0001)复合衬底。
2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤一中在去离子水、无水乙醇和丙酮里进行超声清洗的时间均为10~30min。
3.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤二中Ir颗粒的纯度大于99.99%。
4.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤三中使腔体的真空度为3.0×10-4~6.0×10-4Pa。
5.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤四中升温使样品托中的α-Al2O3(0001)基底温度达到600℃,稳定温度5~10min。
6.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤五中控制电子枪高压为8kV。
7.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤五中控制Ir外延层的沉积速率为0.04~0.10nm/s。
8.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤五中沉积Ir外延层的厚度为120~200nm。
9.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤七中以20℃/s~35℃/s的升温速率升温至退火温度。
10.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤七中退火结束控制降温速率为2℃/s~30℃/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造