[发明专利]电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法有效

专利信息
申请号: 202010806924.6 申请日: 2020-08-12
公开(公告)号: CN111933514B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 代兵;朱嘉琦;王伟华;王杨;舒国阳;韩杰才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 电子束 工艺 制备 外延 金刚石 ir 111 复合 衬底 方法
【权利要求书】:

1.电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于该制备复合衬底的方法按照以下步骤实现:

一、将α-Al2O3(0001)基底依次在去离子水、无水乙醇和丙酮里进行超声清洗,得到清洗后的α-Al2O3(0001)单晶基底;

二、将清洗后的α-Al2O3(0001)基底固定在样品托的凹槽中,然后放入具有加热装置的电子束蒸发设备腔体里,把Ir颗粒靶材置于石墨坩埚里;

三、依次启动电子束蒸发设备的机械泵和分子泵,使腔体的真空度为8.0×10-5~6.0×10-4Pa,启动加热装置,样品托开始升温;

四、升温使样品托中的α-Al2O3(0001)基底温度达到400~1000℃,稳定温度5~10min,然后打开电子枪电源,控制电子枪的灯丝电流为0.4~1.0A,得到表面温度均匀的α-Al2O3(0001)基底;

五、打开电子枪高压及靶材挡板,调节束流大小为0.180~0.300A,控制蒸镀速率,在表面温度均匀的α-Al2O3(0001)基底表面沉积Ir外延层,得到带有Ir外延层的α-Al2O3(0001)复合衬底;

六、沉积结束后,降低束流到0,关闭靶材挡板和电子枪系统,关闭样品托的加热装置,自然冷却到室温,关闭分子泵及机械泵,充气到大气压,取出复合衬底;

七、将冷却后的复合衬底放置在红外退火炉中,控制退火温度为400~1000℃,通入N2作为保护气,气体流速为20~40sccm,控制退火时间为0.5~2h进行退火,退火结束后,获得Ir(111)/α-Al2O3(0001)复合衬底。

2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤一中在去离子水、无水乙醇和丙酮里进行超声清洗的时间均为10~30min。

3.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤二中Ir颗粒的纯度大于99.99%。

4.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤三中使腔体的真空度为3.0×10-4~6.0×10-4Pa。

5.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤四中升温使样品托中的α-Al2O3(0001)基底温度达到600℃,稳定温度5~10min。

6.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤五中控制电子枪高压为8kV。

7.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤五中控制Ir外延层的沉积速率为0.04~0.10nm/s。

8.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤五中沉积Ir外延层的厚度为120~200nm。

9.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤七中以20℃/s~35℃/s的升温速率升温至退火温度。

10.根据权利要求1所述的电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法,其特征在于步骤七中退火结束控制降温速率为2℃/s~30℃/s。

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