[发明专利]一种生长碲化铜的方法、碲化铜及应用有效
| 申请号： | 202010807255.4 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111874876B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈莹 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碲化铜 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长碲化铜的方法，其特征在于，所述生长碲化铜的方法包括：
将衬底，碘化亚铜和碲粉，依次放置后，利用化学气相沉积法生长少层碲化铜二维材料，生长时间30min-1h，生长温度500℃-800℃；
将3-5片1cm*1cm大小衬底，0.1-0.5g碘化亚铜和0.1-0.5g碲粉，碘化亚铜和碲粉质量比1：1，依次放置在1英寸的CVD管中；
所述衬底为硅氧片或者云母片。
2.如权利要求1所述的生长碲化铜的方法，其特征在于，利用化学气相沉积法生长少层碲化铜二维材料生长环境中，气氛为惰性气体，所述惰性气体包括高纯氮气或者氩气。
3.一种利用权利要求1～2任意一项所述生长碲化铜的方法制备的碲化铜。
4.一种利用权利要求3所述碲化铜制备的太阳能电池，超导，光探测，水热转换，微波屏蔽半导体部件。
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