[发明专利]极紫外光遮罩

说明书

一种极紫外光遮罩，包括基板、在基板上的反射多层结构、在反射多层结构上的接着层、在接着层上的封盖层及在封盖层上的图案化吸收层。封盖层包括非晶形导电材料。

技术领域

本公开涉及极紫外光遮罩。更具体而言，本公开涉及用于极紫外光微影的极紫外光遮罩。

背景技术

半导体工业已经历指数式成长。材料及设计方面的技术进步已产生了几代集成电路(integrated circuit，IC)，其中每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在集成电路演进的进程中，功能密度(亦即，每个晶片面积上互连装置的数量)通常已增大，而几何尺寸(亦即，可以使用制造制程产生的最小组件或接线)已缩小。此按比例缩小制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。

发明内容

一种极紫外光遮罩，包括基板、在基板之上的反射多层结构、在反射多层结构之上的接着层、在接着层之上的封盖层以及在封盖层之上的图案化吸收层。封盖层包括非晶形导电材料。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例的极紫外光遮罩的截面图；

图2是根据一些实施例，用于制造极紫外光遮罩的方法流程图；

图3A至图3H是根据一些实施例，在制造制程各个阶段的极紫外光遮罩的截面图。

【符号说明】

100:极紫外光遮罩

100A:图案区域

100B:周边区域

102:基板

104:导电层

110:反射多层结构

112:接着层

114:封盖层

116:吸收层

116P:图案化吸收层

118:抗反射层

118P:图案化抗反射层

120:极紫外光遮罩坯料

122:开口

124:沟槽

130:硬遮罩层

130P:图案化硬遮罩层

140:光阻层

140P:图案化光阻层

142:开口

144:开口

150:光阻层

150P:图案化光阻层

152:开口

200:方法

202:步骤

204:步骤

206:步骤

208:步骤

210:步骤

212:步骤

214:步骤

216:步骤

具体实施方式