[发明专利]一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构在审
申请号: | 202010808264.5 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112054684A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 张宇环;王儒;刘密;王亚男;朱博威;马涛;任飞;郑莎;纪明明;郑岩;高逸飞;支树播;飞景明;张宇;杜卓宏;曹辰磊;赵闯;张国帅;王森;王文强;王强;汪伟光 | 申请(专利权)人: | 北京卫星制造厂有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M7/10;H02M1/14 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 程何 |
地址: | 100190*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高压 宇航 开关电源 电路 拓扑 结构 | ||
1.一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:包括正反激电路和倍压整流电路;
所述正反激电路用于产生正负交替的脉冲波形,通过磁隔离的方式实现正负交替脉冲能量的传递;
所述倍压整流电路用于提升隔离变压器T1两端的电压,并通过电容和二极管的倍压,降低隔离变压器T1及元器件的电应力,实现输出电压的泵生,达到千伏级的电压输出。
2.根据权利要求1所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述正反激电路包括输入电源Vin、功率开关管Q1和隔离变压器T1;其中输入电源Vin的正级连接隔离变压器T1的同名端,输入电压Vin的负极连接功率开关管Q1的源级,功率开关管Q1的漏极连接隔离变压器T1的非同名端。
3.根据权利要求2所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述倍压整流电路包括若干并联连接的倍压单元;每个倍压单元包括两个电容和两个二极管。
4.根据权利要求3所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述隔离变换器T1的副边绕组同名端与电容C1的一端相连,副边绕组非同名端与二极管D1的阴极和电容C2的一端相连。
5.根据权利要求4所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述倍压整流电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6和电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5和电容C6;其中电容C1的另一端与二极管D1的阳极、二极管D2的阴极和电容C3的一端相连,电容C2的另一端与二极管D2的阳极、二极管D3的阴极和电容C4的一端相连,电容C3的另一端与二极管D3的阳极、二极管D4的阴极和电容C5的一端相连,电容C4的另一端与二极管D4的阳极、二极管D5的阴极和电容C6的一端相连,电容C5的另一端与二极管D5的阳极、二极管D6的阴极相连,电容C6的另一端与二极管D6的阳极相连,依次类推,直至电容Cn+1与二极管Dn+1,n为奇数。
6.根据权利要求2所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述正反激电路中的开关管Q1为具有抗辐照特性的高频功率开关器件,具体为N沟道场效应管或者N型三极管。
7.根据权利要求2所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述输出电压正端与隔离变压器T1的非同名端连接,输出电压负端与电容Cn+1的一端和二极管Dn+1的阳极连接,输出电压为正压输出;输出电压负端与隔离变压器T1的非同名端连接,输出电压正端与电容Cn+1的一端和二极管Dn+1的阳极连接,输出电压为负压输出。
8.根据权利要求1所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述正反激电路中不包括磁复位电路。
9.根据权利要求1所述的一种超高压宇航开关电源电路拓扑结构,其特征在于:所述输出电压为几百伏至几万伏的压差值。
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