[发明专利]OLED显示面板和显示装置有效
申请号: | 202010808934.3 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112002743B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 李梦宇;唐凡 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供一种OLED显示面板和显示装置,OLED显示面板包括衬底、驱动电路层、像素定义层和发光功能层;驱动电路层形成在衬底一侧;像素定义层形成在驱动电路层远离衬底的一侧,图案化形成阵列设置的多个矩形开口区,开口区包括相邻的第一开口区和第二开口区,第一开口区的角朝向第二开口区;发光功能层形成在驱动电路层远离衬底的一侧,包括层叠设置的第一共通层、发光材料层和第二共通层,发光材料层形成在开口区内,第一共通层和第二共通层形成在开口区内,且覆盖像素定义层。本申请在第一共通层或第二共通层蒸镀至第一开口区与第二开口区时,两者之间蒸镀的重叠区域面积减小,因此缓解了相邻子像素间的串扰。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板和显示装置。
背景技术
在现有的OLED显示面板中,各子像素多为阵列排布的矩形结构,相邻子像素的边相对设置,在进行OLED器件层蒸镀时,空穴传输层整面沉积在各子像素区域和像素定义层上,发光材料层通过精细掩膜板沉积在各子像素区域,然而,精细掩膜板的开口区域大于各子像素区域,发光材料层在沉积时易沉积到相邻子像素间的像素定义层上,使得相邻子像素的发光材料层在两者之间的像素定义层表面产生重叠区域,该重叠区域处的空穴会进入到发光材料层中,与阴极传输过来的电子在此复合发光,当点亮某种子像素时,与该子像素相邻的其他子像素也会发光,从而产生串扰,使得OLED显示面板表现出颜色异常。
因此,现有的OLED显示面板存在相邻子像素易发生串扰的技术问题,需要改进。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示面板和显示装置,用以缓解现有的OLED显示面板中相邻子像素易发生串扰的技术问题。
本申请提供一种OLED显示面板,包括:
衬底;
驱动电路层,形成在所述衬底一侧;
像素定义层,形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧,图案化形成阵列设置的多个矩形开口区,所述开口区包括相邻的第一开口区和第二开口区,所述第一开口区的角朝向所述第二开口区;
发光功能层,形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧,包括层叠设置的第一共通层、发光材料层和第二共通层,所述发光材料层形成在所述开口区内,所述第一共通层和所述第二共通层形成在所述开口区内,且覆盖所述像素定义层。
在本申请的OLED显示面板中,所述第二开口区的角朝向所述第一开口区的角。
在本申请的OLED显示面板中,所述第二开口区的边朝向所述第一开口区的角。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一开口区与多个第二开口区相邻,所述多个第二开口区中,一部分第二开口区的角朝向所述第一开口区的角,另一部分第二开口区的边朝向所述第一开口区的角。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一开口区与所述第二开口区沿第一方向相邻,所述第一开口区的第一角朝向所述第二开口区的第二角,所述第一角的顶点与所述第二角的顶点连线,与所述第一方向平行。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一开口区与所述第二开口区沿第一方向相邻,所述第一开口区的第一角朝向所述第二开口区的第二边,所述第一角与所述第二边中点的连接,与所述第一方向平行。
在本申请的OLED显示面板中,所述开口区包括至少三类开口区,分别对应至少三种颜色不同的子像素,所述开口区包括多个第一开口区,所述多个第一开口区对应同种颜色的子像素,所述第二开口区与所述第一开口区对应不同颜色的子像素。
在本申请的OLED显示面板中,至少两个相邻开口区之间的像素定义层截面为倒梯形。
在本申请的OLED显示面板中,所述倒梯形中两侧边与所述驱动电路层间夹角大于90度且小于135度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的