[发明专利]一种发光器件及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202010809006.9 申请日: 2020-08-12
公开(公告)号: CN111900257A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 孙玉倩;陈雪芹;高荣荣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 李娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 器件 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件包括层叠设置的阳极、发光层和阴极;

所述发光器件还包括第一阻挡层,所述第一阻挡层位于所述发光层和所述阴极之间;所述第一阻挡层包括第一阻挡层主体材料和第一掺杂剂;所述第一掺杂剂的HOMO能级为HOMOQ,所述第一阻挡层主体材料的HOMO能级为HOMO1,HOMOQ>HOMO1

和/或,所述发光器件还包括第二阻挡层,所述第二阻挡层位于所述发光层和所述阳极之间;所述第二阻挡层包括第二阻挡层主体材料和第二掺杂剂;所述第二掺杂剂的LUMO能级为LUMOq,所述第二阻挡层主体材料的LUMO能级为LUMO2,LUMOq<LUMO2

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件包括第一阻挡层,所述第一阻挡层包括第一阻挡层主体材料和第一掺杂剂;

HOMOQ-HOMO1>0.2eV。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件包括第二阻挡层,所述第二阻挡层包括第二阻挡层主体材料和第二掺杂剂;

LUMO2-LUMOq>0.2eV。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件包括第一阻挡层,所述第一阻挡层包括第一阻挡层主体材料和第一掺杂剂;所述发光器件包括第二阻挡层,所述第二阻挡层包括第二阻挡层主体材料和第二掺杂剂;

所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂的材料相同,且所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂均包括窄带隙材料。

5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述窄带隙材料包括锂喹啉配合物。

6.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一掺杂剂的掺杂比例为1-50wt%;所述第二掺杂剂的掺杂比例为1-50wt%。

7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述第一阻挡层为空穴阻挡层,所述第二阻挡层为电子阻挡层。

8.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括位于所述阳极和所述第二阻挡层之间层叠设置的空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层位于所述阳极和所述空穴传输层之间;

所述发光器件还包括位于所述第一阻挡层和所述阴极之间层叠设置的电子传输层和电子注入层;所述电子注入层位于所述电子传输层和所述阴极之间。

9.一种显示装置,包括如权利要求1-8任一项所述的发光器件。

10.一种如权利要求1-8任一项所述的发光器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

提供衬底;

在所述衬底之上形成阳极、发光层和阴极;

其中,所述方法还包括:

在所述发光层与所述阴极之间形成第一阻挡层;

所述第一阻挡层包括第一阻挡层主体材料和第一掺杂剂;所述第一掺杂剂的HOMO能级为HOMOQ,所述第一阻挡层主体材料的HOMO能级为HOMO1,HOMOQ>HOMO1

和/或,所述方法还包括:

在所述阳极和所述发光层之间形成第二阻挡层;

所述第二阻挡层包括第二阻挡层主体材料和第二掺杂剂;所述第二掺杂剂的LUMO能级为LUMOq,所述第二阻挡层主体材料的LUMO能级为LUMO2,LUMOq<LUMO2

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