[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一半导体基板，具有一通道区；

一栅堆叠，位于该通道区之上；及

一磊晶源极/漏极区，与该栅堆叠相邻，该磊晶源极/漏极区包括：

一主部分，位于该半导体基板中，该主部分包括掺杂有镓的一半导体材料，该主部分中镓的一第一浓度小于该半导体材料中镓的固体溶解度；及

一终端部分，位于该主部分上方，该终端部分掺杂有镓，该终端部分中镓的一第二浓度大于该半导体材料中镓的固体溶解度。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该主部分包含掺杂镓到该第一浓度的硅锗的一第一层，及其中该终端部分包含掺杂镓到该第二浓度的硅锗的一第二层。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该主部分包含掺杂镓到该第一浓度的硅锗的一第一层，以及其中该终端部分包含掺杂镓到第二浓度的硅锗的多个第二层。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，其中所述多个第二层分别在具有一第一结晶结构或一第二结晶结构之间交替，该第一结晶结构不同于该第二结晶结构。

5.一半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成一栅堆叠于一鳍片上；

蚀刻该鳍片以在与该栅堆叠相邻的该鳍片中形成一凹陷；

在一第一成长阶段期间点胶多个磊晶前驱物以在该凹陷中形成一磊晶源极/漏极区的一第一部分，该磊晶前驱物包括半导体材料前驱物和一镓前驱物，在该第一成长阶段期间以一第一流量点胶该镓前驱物；以及

在一第二成长阶段期间点胶所述多个磊晶前驱物以在该磊晶源极/漏极区的该第一部分上方形成该磊晶源极/漏极区的一第二部分，在该第二成长阶段期间以一第二流量点胶该镓前驱物，该第二流量大于该第一流量。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该第一部分包含该半导体材料掺杂镓至一第一浓度的一第一层，及其中该第二部分包含该半导体材料掺杂镓至一第二浓度的一第二层，该第一浓度小于该半导体材料中的镓的固体溶解度，该第二浓度大于该半导体材料中的镓的固体溶解度。

7.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该第一部分包括该半导体材料掺杂镓至一第一浓度的一第一层，及其中该在第二成长阶段期间点胶所述多个磊晶前驱物包括：

在第二成长阶段期间点胶所述多个磊晶前驱物以形成多个第二层于该第一层之上。

8.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，进一步包括：

沉积一层间介电层于该磊晶源极/漏极区上；

蚀刻一开口于该层间介电层中，该开口露出该磊晶源极/漏极区的该第二部分；

形成一硅化物在该开口中及该磊晶源极/漏极区的该第二部分上，该硅化物包括镓；以及

形成一源极/漏极触点于该开口中及该硅化物上。

9.一半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

在一鳍片上形成一栅堆叠；

蚀刻该鳍片以形成一凹陷在与该栅堆叠相邻的该鳍片中；

点胶多个半导体材料前驱物以形成在该凹陷中的一第一磊晶层；

在点胶完所述多个半导体材料前驱物后，点胶一掺杂物前驱物以形成一杂质层于该第一磊晶层上；

在点胶完该掺杂物前驱物后，重新点胶所述多个半导体材料前驱物以形成在该杂质层上的一第二磊晶层；以及

进行退火以将该杂质层的至少一部分扩散到该第一磊晶层和该第二磊晶层中。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中所述多个半导体材料前驱物包括锗烷，其中该掺杂物前驱物是氯化镓，及其中在点胶该掺杂物前驱物后，该杂质层包括以氯终止的一镓单层。