[发明专利]半桥驱动器及其保护电路和保护方法在审

专利信息
申请号: 202010809684.5 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN111917409A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 罗强;方烈义 申请(专利权)人: 昂宝电子(上海)有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20;H03K19/09;H03K19/0944
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 姜飞
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 驱动器 及其 保护 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种用于半桥驱动器的保护电路,包括自举BST欠压锁定模块和第一电平下移转换器,其中:

所述BST欠压锁定模块被连接在所述半桥驱动器的BST引脚和开关SW引脚之间,并且被配置为基于所述BST引脚与所述SW引脚之间的BST-SW电压的大小生成BST欠压锁定控制信号;并且

所述第一电平下移转换器被配置为对所述BST欠压锁定控制信号进行电平下移,以得到经电平下移的BST欠压锁定控制信号,用于控制所述半桥驱动器的死区控制模块当所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号为逻辑高电平时输出分别禁止所述半桥驱动器中的高边晶体管和低边晶体管导通的高边PWM信号和低边PWM信号,

其中,当所述BST-SW电压在预定的第一去抖动时间内低于阈值电压时,所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号为逻辑高电平,并且当所述BST-SW电压升高至在预定的第二去抖动时间内高于所述阈值电压时,所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号变为逻辑低电平。

2.根据权利要求1所述的用于半桥驱动器的保护电路,其中,所述第一去抖动时间小于所述半桥驱动器中的PWM信号发生器所生成的PWM信号的周期,并且所述第二去抖动时间大于所述第一去抖动时间。

3.根据权利要求1所述的用于半桥驱动器的保护电路,还包括弱下拉模块,其中:

所述弱下拉模块包括弱下拉晶体管和电阻,并且被连接在所述SW引脚与参考地之间,以使得:当所述弱下拉晶体管导通时,连接在所述BST引脚与所述SW引脚之间的BST电容器被充电,或者在所述BST电容器浮空或断开的情况下所述BST引脚与所述SW引脚之间的寄生电容被充电;并且

所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号还被用于控制所述死区控制模块,以使得:当所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号为逻辑高电平时,所述死区控制模块输出允许所述弱下拉晶体管导通的下拉控制信号;并且当所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号为逻辑低电平时,所述死区控制模块输出禁止所述弱下拉晶体管导通的所述下拉控制信号。

4.根据权利要求1所述的用于半桥驱动器的保护电路,还包括PWM同步模块,被配置为将所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号与由所述半桥驱动器中的PWM信号发生器生成的PWM信号进行同步,以生成BST欠压锁定同步控制信号,其中:

所述BST欠压锁定同步控制信号的上升沿与所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号的上升沿同步,并且所述BST欠压锁定同步控制信号的下降沿与所述经电平下移的BST欠压锁定控制信号的下降沿之后的所述PWM信号的第一个下降沿同步;并且

所述BST欠压锁定同步控制信号被用于控制所述死区控制模块,以使得:

当所述BST欠压锁定同步控制信号为逻辑高电平时,所述死区控制模块输出分别禁止所述高边晶体管和所述低边晶体管导通的所述高边PWM信号和所述低边PWM信号;并且

当所述BST欠压锁定同步控制信号为逻辑低电平时,所述死区控制模块输出基于所述PWM信号和低边反馈信号得到的所述高边PWM信号和基于所述PWM信号和高边反馈信号得到的所述低边PWM信号。

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