[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010809812.6 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN114078746A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 江涛 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层以及贯穿所述第一介质层的金属连接结构；
在所述第一介质层表面和所述金属连接结构表面形成第二介质层；
在所述第二介质层中形成沟槽，所述沟槽暴露所述金属连接结构的表面；
使用碱性清洗溶液清洗所述沟槽；
钝化处理所述暴露出的金属连接结构表面。
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，使用碱性清洗溶液清洗所述沟槽的时间为1分钟至2分钟。
3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碱性清洗溶液的pH值大于7小于8。
4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碱性溶液包括氨水。
5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化处理包括：使用还原性气体对所述暴露出的金属连接结构表面进行钝化处理。
6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化处理包括：将半导体结构置于充有包含氮气和氢气的混合气体的反应装置中进行钝化处理。
7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述混合气体中氮气的含量占40％至60％，氢气的含量占40％至60％。
8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：使用去离子水清洗所述沟槽。
9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：使用EKC溶液清洗所述沟槽。
10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述沟槽中形成层间连接结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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