[发明专利]电容器结构及其制作方法、存储器

权利要求书

1.一种电容器结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括至少两个间隔排布的支撑材料层和位于相邻所述支撑材料层之间的牺牲材料层；

于所述叠层结构内形成电容孔，每一所述电容孔包括至少三个隔离设置的通孔；

形成下电极，所述下电极至少覆盖各所述通孔的侧壁及底部；

去除所述牺牲材料层，于所述下电极的表面形成电容介质层；

于所述电容介质层的表面形成上电极。

2.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，于所述叠层结构内形成所述电容孔的步骤包括：

在所述叠层结构上形成第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层形成第一凹型图案，所述第一凹型图案定义出所述电容孔的外部轮廓；

形成填充层，所述填充层覆盖所述第一硬掩膜层的表面并填满所述第一凹型图案；

于所述填充层上形成交叠的第一条状图案和第二条状图案，且第一条状图案和第二条状图案的交叠部分位于所述第一凹型图案的正上方；

基于所述第一凹型图案、所述第一条状图案和第二条状图案，对所述填充层、所述第一硬掩膜层和所述叠层结构进行刻蚀，直至去除预设高度的所述叠层结构，在所述叠层结构内形成定义所述电容孔的第二凹型图案；

基于所述第二凹型图案对填充层进行刻蚀，形成所述电容孔。

3.如权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一硬掩膜层的步骤包括：

在所述叠层结构表面形成第一硬掩膜材料层、第一有机掩膜材料层和第一光刻胶层；

图形化所述第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层中形成定义所述第一凹型图案的目标图案；

以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述第一有机掩膜材料层和所述第一硬掩膜材料层进行刻蚀，保留的所述第一硬掩膜材料层构成所述第一硬掩膜层；

去除所述第一有机掩膜材料层和所述第一光刻胶层。

4.如权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述形成所述第一条状图案和所述第二条状图案的步骤包括：

在所述填充层上依次形成第二有机掩膜材料层和第二硬掩膜材料层；

图形化所述第二硬掩膜材料层，形成第一方向延伸的所述第一条状图案；

在所述第二硬掩膜材料层上依次形成第三有机掩膜材料层和第三硬掩膜材料层；

图形化所述第三硬掩膜材料层，形成沿第二方向延伸的所述第二条状图案，其中所述第一方向与所述第二方向具有一定夹角。

5.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述通孔呈扇形，且每一所述电容孔包括四个所述通孔。

6.如权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述第一凹型图案的截面形状为圆形，且两两相邻的三个所述第一凹型图案的中心连线构成正三角形。

7.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，去除所述牺牲材料层的步骤包括：

于所述顶部支撑材料层内形成至少一个开口，所述开口暴露出所述牺牲材料层；

基于所述开口去除所述牺牲材料层。

8.如权利要求7所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述开口的截面形状为圆形、三角形、四边形或不规则形状。

9.如权利要求7所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，基于所述开口利用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲材料层。

10.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成所述叠层结构之前，在所述衬底上形成电容接触垫，所述电容接触垫与所述电容孔一一对应。