[发明专利]一种真空断路器真空度劣化非接触探测方法及其预警装置在审

专利信息
申请号: 202010810153.8 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN112017907A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 刘曙光;张兴兴;金程鑫;丁子峰;孙宇亮 申请(专利权)人: 黄山学院
主分类号: H01H33/668 分类号: H01H33/668;H01H33/664
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 宫建华
地址: 245041 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 断路器 度劣化非 接触 探测 方法 及其 预警 装置
【权利要求书】:

1.一种真空断路器真空度劣化非接触探测预警装置,包括信号采集部分、信号调理部分和微处理单元部分,其特征在于:所述信号采集部分包括A相、B相和C相三路电场探测元件(1)和多路复用通道(2),三路所述电场探测元件(1)位于真空断路器中A相、B相、C相三个灭弧室外部,三路所述电场探测元件(1)通过连接电路与多路复用通道(2)连接,所述信号处理部分包括放电特征信号提取电路(3)和脉冲整形电路(4),所述多路复用通道通过连接电路与放电特征信号提取电路(3)连接,所述放电特征信号提取电路(3)通过连接电路与脉冲整形电路(4)连接,所述微处理单元部分包括微处理器(5)、铁电存储器(8)、RS485通信电路(7)和报警输出电路(6),所述微处理器(5)分别通过连接电路与报警输出电路(6)、RS485通信电路(7)和铁电存储器(8)连接,且所述微处理器(5)通过反馈电路与多路复用通道(2)连接。

2.一种真空断路器真空度劣化非接触探测方法,其特征在于:包括以下步骤:

步骤一、信号采集:由非接触的电场探测元件(1)捕获到因灭弧室真空度劣化而产生的高频脉冲信号,通过屏蔽线传输到远离高压的安全区,电场探测元件(1)采集到的高频信号幅值在10~18mV之间,中心频率在11.5~12.5KHz左右;

步骤二、信号调理:通过放电特征信号提取电路(3),将中心频率为12KHz、带宽为5KHz~12KHz的高频信号识别出来,同时把50Hz以下低频信号滤除,把因真空度劣化产生的特征信号提取出来,并由脉冲整形电路(4)输出为微处理器可识别的序列信号;

步骤三、数据分析与处理:微处理器(5)从脉冲整形电路(4)直接读取序列信号,通过计时器计算出信号的频率,如果频率大于设定值,表明灭弧室真空度劣化已到了极限值,则通过、报警输出电路(6)发出告警信号。

3.根据权利要求1所述的一种真空断路器真空度劣化非接触探测预警装置,其特征在于:所述的微处理单元部分软件流程如下:

步骤S101:程序初始化,设置标志位;

步骤S102:对多路复用通道(2)进行控制,选择A相或B相或C相电场探测元件(1)中的其中一路检测信号进入放电特征信号提取电路(3);

步骤S103:对工频信号及放电脉冲信号提取电路进行一次自检,生成自检信号;

步骤S104:判断信号提取回路是否有故障,如果有故障,则装置输出故障报警;

步骤S105:如果无故障,启动定时器脉冲计数,并计算出信号频率;

步骤S106:判断真空度是否异常,如果信号频率大于设定值,说明真空度异常,则发出真空度异常报警信号;如果信号频率小于设定值,说明真空度正常,则程序返回至S103。

4.根据权利要求1所述的一种真空断路器真空度劣化非接触探测预警装置,其特征在于:所述电场探测元件(1)包括铝合金平板(101)所述铝合金平板(101)设置为倒L型平板结构,所述铝合金平板(101)的背部和顶部均粘合有环氧树脂板(102),所述铝合金平板(101)的底部设置有同轴电缆(103),所述同轴电缆(103)为引出线。

5.根据权利要求1所述的一种真空断路器真空度劣化非接触探测预警装置,其特征在于:所述放电特征信号提取电路(3)由一个二阶带通滤波器和一个一阶高通滤波器串联组成。

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