[发明专利]磁存储器件

说明书

磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。

技术领域

实施方式涉及磁存储器件。

背景技术

已经对利用磁隧道结(MTJ)结构的磁阻特性的电子器件进行了研究。

发明内容

实施方式针对一种磁存储器件，其包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的沟道区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。

实施方式还针对一种磁存储器件，其包括：器件隔离层，在衬底上并限定多个有源区；源极区和漏极区，在多个有源区的每个中彼此分开；沟道部分，在源极区和漏极区之间；多个磁存储单元，分别形成在沟道部分上；以及字线，在多个磁存储单元上并在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸。多个磁存储单元中的每个可以包括在沟道部分上的自旋轨道矩(SOT)诱导层以及在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括自由层、隧道势垒层和被钉扎层。字线可以设置在比MTJ结构的高度高的高度。

实施方式还针对一种磁存储器件，其包括：沟道部分，在衬底上并且包括化合物半导体；源极区和漏极区，在衬底上并彼此分开并且沟道部分位于其间；绝缘间隔物，在沟道部分上并且包括磁性绝缘体；在绝缘间隔物上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在绝缘间隔物上的自由层、在自由层上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显。

图1示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的存储单元阵列的电路图；

图2示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的布局图；

图3示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的一部分的透视图；

图4示出了沿图2的线A-A'截取的截面图；

图5示出了图4的区域CX1的放大截面图；

图6至图8示出了示意图，它们示出根据一示例实施方式的驱动磁存储器件的方法；

图9示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的截面图；

图10示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的截面图；

图11示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的布局图；

图12示出了磁存储器件的一部分的透视图；

图13示出了根据一示例实施方式的磁存储器件的截面图；

图14和图15示出了根据一示例实施方式的示出驱动磁存储器件的方法的示意图；和

图16示出了根据一示例实施方式的包括磁存储器件的存储装置的框图。

具体实施方式

现在将详细参考实施方式，其示例在附图中示出。