[发明专利]在聚酰亚胺薄膜上实现微纳图形化处理的方法

权利要求书

1.一种在聚酰亚胺薄膜上实现微纳图形化处理的方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）先将聚碳酸亚丙酯PPC材料旋涂在硅片上，然后将聚酰亚胺薄膜贴合在硅片上面，再将PPC在150~180℃的温度下固化1.5~2.5h，以去除溶剂并使聚合物稳定，最后经过短时间的晶片键合技术使薄膜变得平坦；

（2）使用蒸发工艺在步骤（1）的样品上沉积铝层；

（3）在步骤（2）的样品上旋涂正性光刻胶层；

（4）在紫外线照射的作用下，用掩膜版对光刻胶涂层进行选择性曝光，再进行软烘干；

（5）用刻蚀剂对光刻胶进行化学刻蚀，刻蚀掉被曝光的正性光刻胶，而未经曝光的部分则保留下来形成特定图形；

（6）先使用AL0.6Glass配方进行干法蚀刻对铝层进行刻蚀，再通过湿法刻蚀去掉暴露在外面的铝层，保留被光刻胶覆盖的铝层；

（7）将经过湿法蚀刻的样品暴露在紫外线下，然后用丙酮去除剩余的光刻胶；

（8）在200~250℃的温度下加热被剥离光刻胶的样品，聚碳酸亚丙酯PPC材料分解为水和二氧化碳，获得实现微纳图形化处理的聚酰亚胺薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，聚酰亚胺薄膜的厚度为10-150μm，晶片键合技术的工艺条件为：35℃的温度下，施加500N的力3min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，铝层的厚度为0.1-2μm，正性光刻胶层的厚度为1-3μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，掩模版导电间隙宽度为2μm-130mm，软烘干温度为95℃，软烘干时间为1min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（5）中，刻蚀剂是碱性 TMAH显影液。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（6）中，干法蚀刻的具体工艺参数如下：溅射0.5~1s，在25℃下冷却3~5分钟，再溅射0.5~1s，再度冷却3~5分钟，如此循环直到厚度满足0.6μm的需求。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（6）中，湿法蚀刻采用氢氟酸。