[发明专利]一种有序自组装中空InVO4 有效
申请号: | 202010811485.8 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN112044427B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 周勇;韩秋彤;邹志刚 | 申请(专利权)人: | 南京大学昆山创新研究院;南京大学 |
主分类号: | B01J23/22 | 分类号: | B01J23/22;B01J35/02;C01C1/02 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有序 组装 中空 invo base sub | ||
1.一种有序自组装中空结构的InVO4介晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将硝酸铟加入浓度为2±0.1M的硝酸溶液中,将其磁力搅拌后完全溶解得到A溶液;(2)将偏钒酸铵加入浓度为2±0.1M的氢氧化钠溶液中,将其超声后完全溶解得到B溶液; (3)在磁力搅拌的条件下,将B溶液逐滴滴入A溶液中,并迅速加入少量的柠檬酸钠0.3mmol,继续搅拌10min以上;用1-3 M氢氧化钠或硝酸调节pH至4 ~ 5,然后将此混合溶液转移至50ml水热高压反应釜中;(4)180±15℃持续水热反应4 ~ 6小时,自然冷却至室温,产物经洗涤和离心后冷冻干燥;由此得到有序自组装中空的InVO4介晶超结构;硝酸铟、偏钒酸铵的摩尔质量比为1:1。
2.根据权利要求1所述的有序自组装中空的InVO4介晶的制备方法,其特征在于:用65%~ 68%wt的浓硝酸溶液和二次去离子水配置成浓度为2M的硝酸溶液,用分析纯的氢氧化钠固体和二次去离子水配置成浓度为2M的氢氧化钠溶液。
3.根据权利要求1或2所述的有序自组装中空的InVO4介晶的制备方法,其特征在于:将1.0mmol硝酸铟加入20mL浓度为2±0.1M的硝酸溶液中,将其磁力搅拌5min后完全溶解得到A溶液。
4.根据权利要求1或2所述的有序自组装中空的InVO4介晶的制备方法,其特征在于:将1.0mmol偏钒酸铵加入20mL浓度为 2M的氢氧化钠溶液中,超声5min后完全溶解得到B溶液。
5.根据权利要求1所述的有序自组装中空的InVO4介晶的制备方法,其特征在于:在A溶液磁力搅拌的条件下,用滴管将B溶液逐滴滴入A溶液中,然后迅速加入0.3mmol的柠檬酸钠固体,继续磁力搅拌30min,用2 M氢氧化钠或2 M硝酸调节混合浊液pH至4 ~ 5。
6.根据权利要求1或2所述的有序自组装中空的InVO4介晶的制备方法,其特征在于:180℃温度下水热反应4 ~ 6小时。
7.根据权利要求1或2所述的有序自组装中空的InVO4介晶的制备方法,其特征在于:反应釜自然冷却至室温,产物用去离子水和乙醇洗涤和离心,在冷冻干燥机中干燥,得到有序自组装中空的InVO4介晶。
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