[发明专利]操作存储设备的方法、存储设备及操作存储系统的方法在审
申请号: | 202010812374.9 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN112394879A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 方光奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/22;G06F11/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张泓 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 操作 存储 设备 方法 存储系统 | ||
1.一种操作存储设备的方法,所述方法包括:
感测流过所述存储设备的维持电流;
基于所述感测的维持电流和至少一个参考值来确定在所述存储设备内是否已经发生产品异常;以及
当确定已经发生产品异常时,执行其中顺序地执行与所述存储设备的操作相关联的两个或更多控制处理的步进式控制操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,执行所述步进式控制操作包括:
当所述感测的维持电流超过第一参考值时,执行包括识别有缺陷芯片的位置的操作的第一控制处理;
当所述感测的维持电流超过大于所述第一参考值的第二参考值时,执行包括控制所述有缺陷芯片的性能的操作的第二控制处理;以及
当所述感测的维持电流超过大于所述第二参考值的第三参考值时,执行包括终止所述有缺陷芯片的驱动的操作的第三控制处理。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,执行所述第一控制处理包括:
向外部主机设备通知在所述存储设备内已经发生产品异常;
将在存储设备内已经发生产品异常记入日志;以及
从在所述存储设备中包括的多个芯片当中识别所述有缺陷芯片的位置。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,通过顺序地一个接一个地开启所述多个芯片并且通过感测流过每个开启的芯片的电流来执行识别有缺陷芯片的位置的操作。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,使用异步事件请求(AER)命令来执行向外部主机设备通知在存储设备内已经发生产品异常的操作。
6.根据权利要求2所述的方法,其中,执行所述第二控制处理包括:
控制施加到所述有缺陷芯片的操作电压;以及
使能用于所述有缺陷芯片的动态节流操作。
7.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
基于在制造所述存储设备的过程中测量的初始维持电流来设置所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述初始维持电流包括在第一温度测量的第一初始维持电流、在不同于所述第一温度的第二温度测量的第二初始维持电流以及在不同于所述第一温度和所述第二温度的第三温度测量的第三初始维持电流,以及
设置所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值包括:
基于通过对所述第一初始维持电流、所述第二初始维持电流和所述第三初始维持电流求平均所获得的平均初始维持电流来设置所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值。
9.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述初始维持电流包括在第一温度测量的第一初始维持电流、在不同于所述第一温度的第二温度测量的第二初始维持电流以及在不同于所述第一温度和所述第二温度的第三温度测量的第三初始维持电流,以及
设置所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值包括:
基于所述第一初始维持电流将所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值设置为适于所述第一温度的值;
基于所述第二初始维持电流将所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值设置为适于所述第二温度的值;以及
基于所述第三初始维持电流将所述第一参考值、所述第二参考值和所述第三参考值设置为适于所述第三温度的值。
10.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述第一参考值是所述初始维持电流的两倍,
所述第二参考值是所述初始维持电流的三倍,以及
所述第三参考值是所述初始维持电流的四倍。
11.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述存储设备包括控制器芯片和多个非易失性存储器芯片,并且
所述维持电流表示流过所述控制器芯片的电流和流过所述多个非易失性存储器芯片的电流的总和。
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