[发明专利]芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法有效
申请号: | 202010813036.7 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN112967980B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 翟峰 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 转移 组件 及其 制作方法 方法 | ||
1.一种芯片转移组件,其特征在于,包括:
转移基板;
在所述转移基板上形成的多孔胶层,所述多孔胶层内分布有第一孔隙;
在所述多孔胶层上形成的胶体凸起,所述胶体凸起具有透光性,且所述胶体凸起内分布有第二孔隙,所述第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配,并小于所述第一孔隙的尺寸;
所述第二孔隙用于在发光二极管芯片转移过程中容纳发光转换颗粒,所述胶体凸起用于在发光二极管芯片转移过程中,与待转移的发光二极管芯片的出光面贴合后,在受热后降温的作用下完成对所述发光二极管芯片的吸附;以及用于在吸附的所述发光二极管芯片转移至芯片焊接区后,在加热完成所述发光二极管芯片的焊接过程中,与所述多孔胶层之间的接触面在热效应作用下形成分离面,以便于与所述多孔胶层分离并保留在所述发光二极管芯片的出光面上。
2.如权利要求1所述的芯片转移组件,其特征在于,所述第一孔隙的尺寸为50纳米至1000纳米,所述第二孔隙的尺寸为6纳米至30纳米。
3.如权利要求1所述的芯片转移组件,其特征在于,所述胶体凸起与所述多孔胶层之间的接触面的面积,小于所述胶体凸起与所述发光二极管芯片之间的接触面的面积。
4.如权利要求1-3任一项所述的芯片转移组件,其特征在于,所述多孔胶层为聚二甲基硅氧烷体系胶层,所述胶体凸起为有机硅体系胶体或丙烯酸树脂。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,包括:
提供转移基板;
在所述转移基板上形成多孔胶层,所述多孔胶层内分布有第一孔隙;
在所述多孔胶层上形成胶体凸起,所述胶体凸起具有透光性,且所述胶体凸起内分布有第二孔隙,所述第二孔隙的尺寸与发光转换颗粒的尺寸相匹配,并小于所述第一孔隙的尺寸。
6.如权利要求5所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,所述多孔胶层为聚二甲基硅氧烷体系胶层;
所述在转移基板上形成多孔胶层包括:
对聚二甲基硅氧烷体系胶体进行稀释;
在稀释后的所述聚二甲基硅氧烷体系胶体中加入第一可溶性颗粒并搅拌均匀;
将混合有所述第一可溶性颗粒的聚二甲基硅氧烷体系胶体设置于所述转移基板上固化后,形成聚二甲基硅氧烷体系胶层;
通过水浴将固化后的所述聚二甲基硅氧烷体系胶层中的第一可溶性颗粒去除,所述第一可溶性颗粒所占用的空间构成所述第一孔隙。
7.如权利要求6所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,所述在所述多孔胶层上形成胶体凸起包括:
对目标胶体进行稀释,所述目标胶体为有机硅体系胶体或丙烯酸树脂;
在稀释后的所述目标胶体中加入第二可溶性颗粒并搅拌均匀;
将混合有所述第二可溶性颗粒的目标胶体设置临时转移基板上固化后,形成胶体凸起;
通过水浴将固化后的所述胶体凸起中的第二可溶性颗粒去除,所述第二可溶性颗粒所占用的空间构成所述第二孔隙;
将所述临时转移基板上的胶体凸起与所述转移基板上的多孔胶层贴合,并将所述临时转移基板与所述胶体凸起分离。
8.如权利要求7所述的芯片转移组件的制作方法,其特征在于,所述第一可溶性颗粒的直径大于所述第二可溶性颗粒的直径;
所述第一可溶性颗粒和第二可溶性颗粒包括:糖类颗粒和盐类颗粒中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造