[发明专利]高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用

说明书

本发明涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种硅氧烷单体，以所述单体固化所得树脂在高频下具有低介电常数和低介电损耗、高耐热性、良好加工性和低吸水率，特别适合用于制备高频电路板。

技术领域

本发明涉及高性能聚合物技术领域，具体地涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。

背景技术

随着高频通信技术的迅速发展，可作为高频印刷电路板(HPCB)基体树脂的高频低介电材料受到广泛关注。为了满足高频通讯技术的发展要求，低介电材料在高频条件下(5GHz)应保持低介电常数(D_k2.6)和低介电损耗(D_f2.0×10^-3)。此外，还要求这些材料具有良好的附着力、高耐热性、良好的加工性能以及低吸水率。虽然聚四氟乙烯(PTFE)常用于HPCB制造中，但它对基板的附着力低，不易加工以及热稳定性较低，因此还需要发展综合性能更为优异的低介电材料来替代PTFE以满足应用需求。氰酸酯树脂、环氧树脂、苯并恶嗪树脂等工业树脂由于具有良好的基板附着力和良好的加工性能，长期以来一直被用作印刷电路板的基体树脂。然而这些树脂固化后通常残留有固化剂或添加剂，对材料的介电常数和损耗有不利影响，可以在高频条件下保持较低介电常数和损耗的品种不多。因此，迫切需要开发新型的高频低介电常数材料以满足相关领域的应用需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷(尤其是含氟硅氧烷)及其制备方法和应用。

本发明的第一方面，提供了一种硅氧烷单体，所述单体具有式M所示结构：

其中，

各R独立地选自下组：氢、卤代或未取代的C1-C15烷基、卤代或未取代的C3-C15环烷基、卤代或未取代的C6-C10芳基；

R_a选自下组：取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C2-C6烯基、取代或未取代的C3-C6环烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基；其中，所述取代指基团上的一个或多个氢原子被选自下组的一个或多个取代基取代：卤素、卤代或未取代的C1-C4烷基、卤代或未取代的C2-C4烯基、卤代或未取代的C2-C4炔基、卤代或未取代的C1-C4烷氧基、苯基；

X选自下组：氢、卤素、卤代或未取代的C1-C6烷基、卤代或未取代的C1-C6烷氧基。

在另一优选例中，各R相同或不同，优选相同。

在另一优选例中，各R独立地选自下组：卤代或未取代的C1-C12烷基、C3-C10环烷基、苯基；

R_a选自下组：C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、卤代C1-C6烷基取代的苯基；

X选自下组：卤素、卤代C1-C6烷基、卤代或未取代的C1-C6烷氧基。

在另一优选例中，各R独立地选自下组：氢、甲基、乙基、三氟丙基、苯基、十二烷基。

在另一优选例中，R_a选自下组：C1-C6烷基、C2-C6烯基、取代或未取代的苯基；其中，所述取代指基团上的一个或多个氢原子被选自下组的取代基取代：氟原子或其他卤素、三氟甲基、三氟丙基、C1-C6烷氧基、C1-C4烷基。

在另一优选例中，X选自下组：氢、氟、三氟甲基、三氟丙基、C1-C6烷氧基、C1-C4烷基。

在另一优选例中，X选自下组：卤素、卤代C1-C6烷基、卤代C1-C6烷氧基。

在另一优选例中，所述单体选自下组：