[发明专利]用于操作半导体器件的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体器件包括外围器件，与所述外围器件对应连接的局部字线，以及与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元，所述外围器件包括公共电极以及与所述局部字线连接的输出电极，所述方法包括：

在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，使所述局部字线的电压在所述半导体器件待机过程中稳定在预设电压范围内，所述外围器件为驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极电压为0V；

在所述半导体器件处于工作状态时，停止向所述外围器件的公共电极施加所述第一电压信号。

2.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述外围器件在施加所述第一电压信号后所述局部字线不漏电。

3.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述驱动晶体管的源极为所述公共电极，所述驱动晶体管的漏极为所述输出电极；

所述向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，包括：

向所述驱动晶体管的源极施加第一电压信号，使施加所述第一电压信号后的源极电压等于所述驱动晶体管的漏极电压。

4.根据权利要求3所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：

向所述驱动晶体管的漏极施加第二电压信号，使施加所述第一电压信号后的源极电压等于施加所述第二电压信号后的漏极电压。

5.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述预设电压范围为1V至目标电压，所述目标电压为所述半导体器件处于工作状态时所述外围器件的输出电极的电压。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

外围器件，所述外围器件包括公共电极和输出电极；

与所述外围器件的输出电极对应连接的局部字线；

与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元；以及，

与所述外围器件的公共电极连接的电压模块；

其中，所述电压模块用于在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，使所述局部字线的电压稳定在预设电压范围内，所述外围器件为驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极电压为0V，以及在所述半导体器件处于工作状态时，停止向所述外围器件的公共电极施加所述第一电压信号。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述外围器件在施加所述第一电压信号后所述局部字线不漏电。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述驱动晶体管的源极为所述公共电极，所述驱动晶体管的漏极为所述输出电极；

所述电压模块具体用于向所述驱动晶体管的源极施加第一电压信号，使施加所述第一电压信号后的源极电压等于所述驱动晶体管的漏极电压。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述电压模块还用于向所述驱动晶体管的漏极施加第二电压信号，使施加所述第一电压信号后的源极电压等于施加所述第二电压信号后的漏极电压。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述预设电压范围为1V至目标电压，所述目标电压为所述半导体器件处于工作状态时所述外围器件的输出电极的电压。