[发明专利]增强模式III族氮化物基晶体管器件

权利要求书

1.一种增强模式III族氮化物基晶体管器件，包括：

本体，包括第一表面，本体包括布置在III族氮化物沟道层上的III族氮化物势垒层并且在其间形成能够支持二维载气的异质结，

第一单元场，包括多个晶体管单元，每个晶体管单元包括在第一表面上且在纵向方向上基本上彼此平行延伸的源极指状物、栅极指状物和漏极指状物，栅极指状物横向地布置在源极指状物与漏极指状物之间，并且包括布置在金属栅极指状物与第一表面之间的p掺杂III族氮化物指状物，

边缘区，围绕多个晶体管单元并且包括边缘终止结构，

其中边缘终止结构包括隔离环和p掺杂III族氮化物流道，隔离环局部地中断二维载气，p掺杂III族氮化物流道与纵向方向横断地延伸并且横向地位于隔离环和漏极指状物的第一端之间。

2.根据权利要求1所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，其中，p掺杂III族氮化物流道电耦合到栅极电位或电耦合到源极电位。

3. 根据权利要求1或2所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，漏极电极的第一端与p掺杂III族氮化物流道间隔开距离L_DEdge，并且漏极指状物与栅极指状物之间的距离是L_DG，其中L_DEedge ≥L_DG。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，金属栅极指状物形成与p掺杂III族氮化物指状物的肖特基接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，其中，p掺杂III族氮化物流道还包括延伸，以形成横向围绕第一单元场的连续环。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，其中，p掺杂III族氮化物流道从p掺杂III族氮化物指状物延伸并且与p掺杂III族氮化物指状物成为一体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，其中，p掺杂III族氮化物流道和p掺杂III族氮化物指状物一起形成连续环，所述连续环横向围绕漏极指状物。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，p掺杂III族氮化物流道与隔离环横向间隔开，或者p掺杂III族氮化物流道的外侧区与隔离环横向重叠。

9. 根据权利要求1至8中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，其中，

隔离环包括注入区，注入区具有深度从而局部地中断二维载气，或者

隔离环包括凹部，凹部包括绝缘材料，凹部具有基部，基部位于距离第一表面的深度处，以便局部地中断异质结和二维载气。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，还包括场板，其中，场板位于金属栅极指状物的漏极侧处以及p掺杂III族氮化物流道的漏极侧处。

11.根据权利要求10所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，其中，场板是横向围绕漏极指状物并且与漏极指状物间隔开的连续环。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的增强模式III族氮化物基晶体管器件，还包括源极连接的流道，源极连接的流道横向布置在p掺杂III族氮化物流道与隔离环之间。