[发明专利]磁存储装置

说明书

实施方式提供能够使隧穿磁阻比率提高的磁存储装置。一个实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1～第3铁磁性层、第1与第2铁磁性层之间的第1非磁性层以及第2与第3铁磁性层之间的第2非磁性层。第2铁磁性层位于第1与第3铁磁性层之间。第3铁磁性层包括与第2非磁性层相接的第4铁磁性层、第3非磁性层及第4铁磁性层与第3非磁性层之间的第4非磁性层。第1非磁性层包含氧化物，该氧化物包含镁即Mg。第4非磁性层的熔点比第3非磁性层的熔点高。

本申请享受以日本专利申请2020-040615号(申请日：2020年3月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及磁存储装置。

背景技术

已知使用了磁阻效应元件作为存储元件的磁存储装置(MRAM：MagnetoresistiveRandom Access Memory，磁阻式随机存取存储器)。

发明内容

本发明要解决的课题在于，提供一种能够使隧穿磁阻比率提高的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括：第1铁磁性层、第2铁磁性层、第3铁磁性层、上述第1铁磁性层与上述第2铁磁性层之间的第1非磁性层及上述第2铁磁性层与上述第3铁磁性层之间的第2非磁性层。上述第2铁磁性层位于上述第1铁磁性层与上述第3铁磁性层之间。上述第3铁磁性层包括：与上述第2非磁性层相接的第4铁磁性层、第3非磁性层及上述第4铁磁性层与上述第3非磁性层之间的第4非磁性层。上述第1非磁性层包含氧化物，该氧化物包含镁(Mg)。上述第4非磁性层的熔点比上述第3非磁性层的熔点高。

附图说明

图1是用于说明实施方式的磁存储装置的结构的框图。

图2是用于说明实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的结构的电路图。

图3是用于说明实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的结构的截面图。

图4是用于说明实施方式的磁存储装置的存储单元阵列的结构的截面图。

图5是用于说明实施方式的磁存储装置的磁阻效应元件的结构的截面图。

图6是用于说明实施方式的磁存储装置中的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图7是用于说明实施方式的磁存储装置中的磁阻效应元件的制造方法的示意图。

图8是用于说明实施方式的效果的图表。

图9是用于说明实施方式的效果的图表。

图10是用于说明第1变形例的磁存储装置的磁阻效应元件的结构的截面图。

图11是用于说明第2变形例的磁存储装置的存储单元阵列的结构的电路图。

图12是用于说明第2变形例的磁存储装置的存储单元的结构的截面图。

标号说明

1：磁存储装置，10、10A：存储单元阵列，11：行选择电路，12：列选择电路，13：解码电路，14：写入电路，15：读出电路，16：电压生成电路，17：输入输出电路，18：控制电路，21、24、27、43、48、50：导电体，22、23、25、26：元件，31、32、34、35b、36、37b、37d、38：非磁性层，33、35a、35c、37a、37c、37e：铁磁性层，35、37：层叠体，20、40：半导体基板，41：选择晶体管，42：磁阻效应元件，44：扩散区域，45：绝缘体，46、47、49：接触插塞，51：层间绝缘膜。

具体实施方式