[发明专利]用于制造半导体封装的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：

在第一载体基板上形成离型层；

在所述离型层上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成第一再分布层，所述第一再分布层包括多条第一布线和围绕所述多条第一布线的第一绝缘层；

在所述第一再分布层上形成第一半导体芯片；

在所述第一再分布层与所述第一半导体芯片之间形成焊料球；

在所述第一半导体芯片上形成第二载体基板；

去除所述第一载体基板、所述离型层和所述蚀刻停止层；以及

去除所述第二载体基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述离型层具有第一蚀刻选择性；

所述蚀刻停止层具有小于所述第一蚀刻选择性的第二蚀刻选择性；以及

所述蚀刻停止层包括金属。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻停止层包括Ti。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述蚀刻停止层上形成金属层，所述金属层包括与所述蚀刻停止层的材料不同的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属层和所述多条第一布线包括相同的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述离型层和所述第一绝缘层包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻停止层的厚度在100nm至500nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一半导体芯片上形成第二半导体芯片，

其中所述第二载体基板形成在所述第二半导体芯片上。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

形成通路，所述通路与所述第一半导体芯片相邻并且在平行于所述第一载体基板的顶表面的方向上与所述第一半导体芯片间隔开；

其中所述第二半导体芯片连接到所述通路。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一半导体芯片上形成第二再分布层，所述第二再分布层包括多条第二布线和围绕所述多条第二布线的第二绝缘层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述第二再分布层上形成第二半导体芯片，

其中所述第二载体基板形成在所述第二半导体芯片上。

12.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：

在第一载体基板上形成离型层；

在所述离型层上形成包括金属的蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成第一再分布层，所述第一再分布层包括多条第一布线和围绕所述多条第一布线的第一绝缘层；

在所述第一再分布层上形成第一半导体芯片；

在所述第一再分布层与所述第一半导体芯片之间形成焊料球；

形成覆盖所述第一半导体芯片的模制层；以及

去除所述第一载体基板、所述离型层和所述蚀刻停止层，

其中所述离型层和所述第一绝缘层包括相同的材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻停止层包括Ti。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述蚀刻停止层上形成金属层，所述金属层包括与所述蚀刻停止层的材料不同的材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述金属层和所述多条第一布线包括相同的材料。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述金属层的厚度在50nm至350nm的范围内。