[发明专利]一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，按质量份数计，其由以下组分组成：磷酸76.9-84.1份、水13.6-14.9份、如式A所示的化合物1.0-9.5份；

2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物；

和/或，所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行；

和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的氮化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氮化硅膜；

和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物时，所述的氮化硅膜的厚度为

4.如权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为4.5份；

和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为81.2份；

和/或，按质量份数计，所述的水的为含量14.3份；

和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜；

和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物、所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜的厚度为

和/或，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物、所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜为氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构。

5.如权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，当所述的蚀刻液组合物为用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物、所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行时，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜为氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构，所述的层叠结构的层数为10～200层。

6.如权利要求1-5中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的蚀刻液组合物为以下任一方案：

方案1：

所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：1％的如式A所示的化合物、84.1％的磷酸和14.9％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；

方案2：

所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：4.5％的如式A所示的化合物、81.2％的磷酸和14.3％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；

方案3：

所述的蚀刻液组合物由下述组分组成：9.5％的如式A所示的化合物、76.9％的磷酸和13.6％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的蚀刻液组合物在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用。

8.如权利要求7所述的蚀刻液组合物在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用，其特征在于，

当所述的蚀刻在氧化硅膜和氮化硅膜存在下时，所述的蚀刻液组合物为选择性蚀刻氮化硅膜蚀刻；和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅应用于半导体材料中；

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅的厚度为

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅为层叠结构，所述的层叠结构的层数为10-200层；

和/或，所述的蚀刻的温度为150-170℃；

和/或，所述的蚀刻的时间为600-6500秒；

和/或，所述的蚀刻包括以下步骤：将所述的氧化硅和/或氮化硅在150-170℃蚀刻600-6500秒后，将氧化硅和/或氮化硅取出，清洗，干燥，用TEM切片观察氧化硅和/或氮化硅的蚀刻情况。