[发明专利]一种新型有机晶体发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种新型有机晶体发光二极管，其特征在于：其自下而上依次包括第一电极、导电涂层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极；

所述发光层的组成物质均为晶体结构，其分子中具有共轭发光特性的分子平面且具有确定的取向方向；

所述发光层为通过有机分子气相沉积进行有机晶态薄膜的外延生长，长出的具有分子水平级别粗糙度的有机晶体材料，所述有机晶体材料的膜厚为100-130 nm、表面粗糙度RMS 2 nm。

2.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述第一电极为铟锡氧化物导电玻璃。

3.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述第二电极的材料为银或铝，其厚度为100-130 nm。

4.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述发光层的厚度为20-40 nm。

5.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述发光层为单组分或多组分共混组成。

6.如权利要求5所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述发光层包括十二羟基喹啉铝及其衍生物、十二羟基喹啉-萘酰亚胺类衍生物中的一种或多种组合。

7.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述电子传输层为单层结构或从下至上依次设置的多层结构，每层的厚度为5-30 nm。

8.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述导电涂层为导电聚合物PEDOT:PSS、或氧化钼，厚度控制在20-40 nm内。

9.如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管，其特征在于：所述发光层中的晶体结构，其晶面间距固定且共轭结构平面具有垂直于或平行于基底方向的取向。

10.一种如权利要求1所述的新型有机晶体发光二极管的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：

步骤一、将ITO导电玻璃作为第一电极，在ITO导电玻璃表面旋涂有机物A形成导电涂层，所述有机物A为PEDOT:PSS或氧化钼；

步骤二、采用真空蒸镀方法，压强3.0×10^-4-5.0×10^-4帕斯卡，在所述有机物A表面分别沉积0.5nmMoO₃、30-50nm的有机物B，形成空穴传输层，所述有机物B为二氧噻吩、咔唑盐及其衍生物中的一种或多种组合；

步骤三、继续沉积10-15nm的有机化合物C，然后共沉积15-20nm的有机化合物C和有机化合物D，其中有机化合物C:D比例为1:0.005-1:0.01，形成发光层；所述有机化合物C和所述有机化合物D包括十二羟基喹啉铝、十二羟基喹啉-萘酰亚胺类衍生物中的一种或多种组合；

步骤四、继续沉积40-45nm的有机化合物E，形成电子传输层，所述有机化合物E为氧化钼、氧化锌、碱土金属有机化合物中的一种或多种组合；

步骤五、将基板温度降至室温，沉积1-1.5nmLi₂CO₃；利用掩模板沉积100-130nm的金属铝，形成第二电极，得到新型有机晶体发光二极管。