[发明专利]CIS的微透镜的形成方法

说明书

本申请公开了一种CIS的微透镜的形成方法，包括：在第一介质层上的目标区域覆盖光阻，第一介质层形成于CIS的像素单元层上，第一介质层中形成有金属连线，目标区域是像素单元层中的像素单元上方的区域；进行刻蚀，刻蚀至其它区域的第一介质层中的目标深度，目标区域的第一介质层形成前置微透镜，其它区域是第一介质层上除目标区域以外的其它区域；去除剩余的光阻；在第一介质层上形成第二介质层，前置微透镜上方的第二介质层形成微透镜。本申请实现了在CIS的制作过程中形成微透镜，不需要后段工艺进行制作，降低了CIS组件的工艺复杂度。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxide semiconductor contact image sensor，CIS)的微透镜(micro-lens)的形成方法。

背景技术

CIS是采用CMOS器件制作的图像传感器，由于其具有集成度高、供电电压低和技术门槛低等优势，广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话以及医疗电子等领域。

参考图1，其示出了相关技术中提供的CIS组件的剖面示意图。如图1所示，该CIS组件包括由像素(pixel)单元层110和互连结构120组件的CIS，和微透镜130。其中，微透镜130是在CIS制作完成后，通过后端工艺制作，其工艺较为复杂且制造成本较高。

发明内容

本申请提供了一种CIS的微透镜的形成方法，可以解决相关技术中提供的CIS组件的制造工艺复杂、制造成本较高的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种CIS的微透镜的形成方法，所述方法应用于所述CIS的制作过程中，所述方法包括：

在第一介质层上的目标区域覆盖光阻，所述第一介质层形成于所述CIS的像素单元层上，所述第一介质层中形成有金属连线，所述目标区域是所述像素单元层中的像素单元上方的区域；

进行刻蚀，刻蚀至其它区域的第一介质层中的目标深度，所述目标区域的第一介质层形成前置微透镜，所述其它区域是所述第一介质层上除所述目标区域以外的其它区域；

去除剩余的光阻；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述前置微透镜上方的第二介质层形成所述微透镜。

可选的，所述前置透镜的截面为梯形，所述梯形的上底为，下底为。

可选的，所述第二介质层的厚度为8000埃至15000埃。

可选的，所述第二介质层包括氧化层。

可选的，所述在所述第一介质层上形成第二介质层，包括：

通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺在所述第一介质层上沉积二氧化硅(SiO₂)形成所述第二介质层。

可选的，所述第一介质层包括氧化层。

可选的，所述在第一介质层的目标区域覆盖光阻之前，在所述像素单元层上形成所述金属连线后，还包括：

依次通过高密度等离子体沉积(high density plasma，HDP)工艺和四乙氧基硅烷沉积(tetraethoxysilane，TEOS)工艺在所述像素单元层上沉积二氧化硅形成所述第一介质层；

通过平坦化工艺对所述第一介质层进行平坦化。

可选的，所述在所述第一介质层上形成第二介质层之后，还包括：

在所述第二介质层上形成硬掩模层；

通过光刻工艺对所述目标区域的硬掩模层进行减薄。