[发明专利]晶圆的清洗方法

说明书

本申请公开了一种晶圆的清洗方法，包括：在晶圆的正面悬涂钝化材料；对晶圆进行烘烤处理；通过药剂对晶圆的边缘区域进行清洁处理，晶圆的边缘区域是从晶圆的边缘向内延伸1毫米至3毫米的环形区域；旋转晶圆，旋转晶圆的转速为2500RPM至3500RPM。本申请通过药剂对晶圆的边缘区域进行清洁处理，再以2500RPM至3500RPM的转速旋转该晶圆，由于通过较高的转速旋转晶圆能够较为彻底地去除晶圆背面的药剂，在一定程度上避免了因为晶圆背面的药剂残留所导致的晶圆斜跨、掉片的几率，提高了制造良率和制造效率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的清洗方法。

背景技术

在半导体制造业中，可使用钝化材料(例如非感光性聚酰亚胺(polymide))形成钝化层作为减少应力的缓冲层以保护器件。钝化材料经过高温处理会固化成坚固的薄膜留在晶圆表面，将晶圆与外部环境隔绝，起到钝化保护的作用。

钝化层的形成过程包括在晶圆上悬涂钝化材料，对钝化材料进行热处理使之固化为钝化层。在悬涂过程中，由于晶圆的边缘气流较大，导致钝化材料很快被固化，形成隆起的边缘，在表面张力的作用下，没有固化的钝化材料会流到晶圆背面，形成晶圆背面的残留。

相关技术中，通常采用药剂对晶圆的背面进行清洗，去除晶圆背面的钝化材料的残留。然而，对晶圆背面的清洗会造成药剂残留，从而导致晶圆难以被固定在接触垫上，引起晶圆斜跨、掉片，进而降低了制造良率和效率。

发明内容

本申请提供了一种晶圆的清洗方法，可以解决相关技术中提供的晶圆的清洗方法所导致的制造良率和效率较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种晶圆的清洗方法，包括：

在晶圆的正面悬涂钝化材料；

对所述晶圆进行烘烤处理；

通过药剂对所述晶圆的边缘区域进行清洁处理，所述晶圆的边缘区域是从所述晶圆的边缘向内延伸1毫米(mm)至3毫米的环形区域；

旋转所述晶圆，旋转所述晶圆的转速为2500转/分钟(revolutions per minute，RPM)至3500RPM。

可选的，所述通过药剂对所述晶圆的边缘区域进行清洁处理，包括：

通过所述药剂对所述边缘区域进行去边处理；

通过所述药剂对所述晶圆的背面进行清洁处理。

可选的，所述通过所述药剂对所述边缘区域进行去边(edge bead removal，EBR)处理，包括：

对所述边缘区域喷涂所述药剂以对所述边缘区域的钝化材料进行去除。

可选的，所述通过所述药剂对所述晶圆的背面进行清洁处理，包括：

对所述背面喷涂所述药剂以对所述背面的钝化材料进行去除。

可选的，所述钝化材料包括非感光性聚酰亚胺。

可选的，所述药剂包括N-甲基吡咯烷酮(NWP)。

可选的，所述对所述晶圆进行烘烤处理包括第一阶段的烘烤处理和第二阶段烘烤处理，所述第一阶段的烘烤处理和所述第二阶段的烘烤处理的温度不同；

所述第一阶段的烘烤处理的时间为120秒(s)至240秒；

第二阶段的烘烤处理的时间为120秒至240秒。

可选的，所述第一阶段的烘烤处理的温度为70摄氏度(℃)至110摄氏度。

可选的，所述第二阶段的烘烤处理的温度为110摄氏度至130摄氏度。