[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

多晶硅半导体层，设置于所述基板上；以及

导线，设置于所述基板上，且所述导线通过接触部接触所述多晶硅半导体层；

辅助导线，电性连接至所述导线；

第一绝缘层，设置于所述导线和所述辅助导线之间，其中所述第一绝缘层具有第一开口，所述辅助导线通过所述第一开口与所述导线电性连接，且所述第一开口沿第二方向上具有第一最小宽度；

第二绝缘层，设置于所述辅助导线上，其中所述第二绝缘层具有第二开口，所述第二开口沿所述第二方向上具有第二最小宽度，且所述第一最小宽度小于所述第二最小宽度，

其中所述接触部沿所述第二方向上具有第三最小宽度，且所述第二最小宽度大于所述第三最小宽度，

其中所述多晶硅半导体层与所述导线的所述接触部分别具有相互对齐的侧边。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导线是由钼、钛或其组合所构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述辅助导线的电阻率小于所述导线的电阻率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述辅助导线是由金、银、铜、铝或其组合所构成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述基板的法线方向上，所述辅助导线沿第一方向上的宽度为所述导线沿所述第一方向上的宽度的0.5倍至1.5倍。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个第三开口，所述辅助导线通过所述多个第三开口的其中的一者与所述导线电性连接，其中在所述基板的法线方向上，所述多个第三开口沿第一方向交错排列。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述辅助导线的厚度不同于所述导线的厚度。