[发明专利]一种低功耗感应加热功率控制系统有效

专利信息
申请号: 202010817875.6 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN111741548B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 屈养户;隋元东 申请(专利权)人: 佛山市冉智电子科技有限公司
主分类号: H05B6/06 分类号: H05B6/06
代理公司: 佛山中贵知识产权代理事务所(普通合伙) 44491 代理人: 王彦昌
地址: 528000 广东省佛山市顺德区勒流街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 感应 加热 功率 控制系统
【权利要求书】:

1.一种低功耗感应加热功率控制系统,包括顺序连接的控制器、驱动器装置、负载驱动电路、负载,控制器通过驱动器装置控制负载驱动电路的通断,负载驱动电路控制负载按设定好的感应加热功率进行工作;其特征是:所述负载驱动电路包括四只绝缘栅双极型晶体管组成的H桥式负载驱动电路,四只绝缘栅双极型晶体管分别为第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)、第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)、第三绝缘栅双极型晶体管(Q3)、第四绝缘栅双极型晶体管(Q4);驱动器装置包括四路栅极驱动电路,四路栅极驱动电路与四只绝缘栅双极型晶体管分别一一对应,四路栅极驱动电路分别为第一驱动器、第二驱动器、第三驱动器、第四驱动器,每个绝缘栅双极型晶体管的栅极G单独与对应的一路驱动器装置连接;第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)的集电极C和第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)的集电极C均于主电路电源正端(HV_VCC)连接,第三绝缘栅双极型晶体管(Q3)的发射极E和第四绝缘栅双极型晶体管(Q4)的发射极E均于主电路电源负端(GND)连接;第三绝缘栅双极型晶体管(Q3)的集电极C和第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)的发射极E连接,第四绝缘栅双极型晶体管(Q4)的集电极C和第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)的发射极E连接;负载的一端连接在第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)的发射极E、另一端连接在第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)的发射极E;

所述驱动器装置还包括隔离控制电源电路,隔离控制电源电路包括具有四路独立控制电源输出的隔离变压器、四路控制电源整流电路,每路控制电源整流电路与隔离变压器的一路独立控制电源输出连接,四路控制电源整流电路分别为第一控制电源整流电路、第二控制电源整流电路、第三控制电源整流电路、第四控制电源整流电路;第一控制电源整流电路对应的输出负端(GND-1)和第二控制电源整流电路对应的输出负端(GND-2)通过负载连接在一起,第三控制电源整流电路对应的输出负端(GND-3)和第四控制电源整流电路对应的输出负端(GND-4)通过主电路电源负端(GND)连接在一起;

所述控制器包括单片机(U1),每路四路栅极驱动电路包括与门电路(U2)和驱动电路,与门电路(U2)的输入端与单片机(U1)的输出端连接,与门电路(U2)的输出端与驱动电路的控制信号输入端连接;

所述单片机(U1)的型号为STM32F,与门电路(U2)的型号为74HC08,74HC08的每个门电路单元的两个信号输入端连在一起;每个门电路单元的输入端与一个单片机(U1)的输出端口对应连接;四路栅极驱动电路对应的四路驱动电路分别为第一驱动电路(1)、第二驱动电路(2)、第三驱动电路(3)、第四驱动电路(4);第一驱动电路(1)选第一控制电源整流电路作为电源连接;第二驱动电路(2)选第二控制电源整流电路作为电源连接;第三驱动电路(3)选第三控制电源整流电路作为电源连接;第四驱动电路(4)选第四控制电源整流电路作为电源连接;

所述第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)的栅极G串联有第一限流电阻(R1),第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)的栅极G和第一控制电源整流电路对应的输出负端(GND-1)之间并联有第一分压电阻(R2)和续流二极管(ZD1);所述第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)的栅极G串联有第二限流电阻(R3),第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)的栅极G和第二控制电源整流电路对应的输出负端(GND-2)之间并联有第二分压电阻(R4)和续流二极管(ZD2);所述第三绝缘栅双极型晶体管(Q3)的栅极G串联有第三限流电阻(R5),第三绝缘栅双极型晶体管(Q3)的栅极G和第三控制电源整流电路对应的输出负端(GND-3)之间并联有第三分压电阻(R6)和续流二极管(ZD3);所述第四绝缘栅双极型晶体管(Q4)的栅极G串联有第四限流电阻(R7),第四绝缘栅双极型晶体管(Q4)的栅极G和第四控制电源整流电路对应的输出负端(GND-4)之间并联有第四分压电阻(R8)和续流二极管(ZD4);

所述单片机(U1)通过相应的输出端口分别发出和负载谐振频率匹配对应的PWM控制信号控制四只绝缘栅双极型晶体管工作,四只绝缘栅双极型晶体管的导通点均在电流过零附近;

其中,单片机(U1)对第三绝缘栅双极型晶体管(Q3)、第四绝缘栅双极型晶体管(Q4)发出的PWM控制信号的占空比固定不变;单片机(U1)对第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)和第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)发出的PWM控制信号的占空比是动态变化的,其动态变化的PWM控制信号的控制步骤如下:

(A)单片机(U1)上电后进行初始化;

(B)单片机(U1)通过电流传感器采集获得负载的电流信号后,通过A/D转换得到负载的电流值;

(C)通过运算转换将负载的电流值转换为相应的负载实际功率值,再与设定负载功率值进行比较;

(D)若负载实际功率值与设定负载功率值发生更改,则根据偏离值计算第一绝缘栅双极型晶体管(Q1)和第二绝缘栅双极型晶体管(Q2)的PWM控制信号的占空比,并输出调整后的PWM控制信号,功率调整结束返回步骤(B);

(E)若负载实际功率值没有更改,与设定负载功率值相符,则维持原来的PWM控制信号不变,功率调整结束返回步骤(B)。

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