[发明专利]一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉在审
申请号: | 202010818550.X | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN114075694A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 杨文武;沈福哲 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/26 | 分类号: | C30B15/26;C30B29/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;陈丽宁 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅熔液 液面 位置 检测 装置 单晶炉 | ||
1.一种硅熔液液面位置的检测装置,应用于单晶炉,所述单晶炉包括坩埚和位于坩埚正上方的导流筒和组合套筒,所述组合套筒设置于所述导流筒的内底部的开口处,其特征在于,所述检测装置包括:
双头吊钩,所述双头吊钩位于所述组合套筒的内侧,所述双头吊钩的上端与所述组合套筒的侧壁固定连接,所述双头吊钩的下端向下伸出于所述组合套筒的底部,用于在硅熔液液面形成倒影;
检测单元,所述检测单元用于捕捉所述双头吊钩的下端在所述硅熔液液面上形成的倒影成像。
2.根据权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述双头吊钩包括插接头、连接杆和成像体,所述连接杆的两端分别连接所述插接头和所述成像体,所述插接头插设固定于所述组合套筒的侧壁中,所述成像体包括第一接触头和第二接触头,所述第一接触头与所述组合套筒的轴线的水平距离大于所述第二接触头与所述组合套筒的轴线的水平距离。
3.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述插接头的纵向截面为三角形或多边形,所述组合套筒的侧壁开设有与所述插接头的形状相适配的插接孔。
4.根据权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述检测单元为CCD相机。
5.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第一接触头的底部与所述硅熔液液面的距离大于所述第二接触头的底部与所述硅熔液液面的距离。
6.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第一接触头和所述第二接触头形成为圆柱体,所述成像体还包括一连接块,所述连接块与所述连接杆固定连接,所述第一接触头的上端与所述连接块的底面固定连接,所述连接块的底面形成为多边形。
7.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述连接杆和所述第二接触头为一体结构。
8.根据权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述组合套筒包括内筒、外筒和隔热层,所述外筒套设于所述内筒外围,所述隔热层设置于所述内筒和所述外筒之间,所述隔热层的侧壁均布有若干导热孔,所述外筒的外周面形成有若干环形凹槽,所述若干环形凹槽沿所述外筒的轴向间隔设置。
9.根据权利要求8所述的检测装置,其特征在于,所述内筒的材质为石墨材料,所述隔热层的材质为碳纤维隔热毡。
10.一种单晶炉,其特征在于,所述单晶炉包括坩埚和位于坩埚正上方的导流筒和组合套筒,所述组合套筒设置于所述导流筒的内底部的开口处,还包括如权利要求1-9中任一项所述的硅熔液液面位置的检测装置。
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