[发明专利]一种发光器件、制备方法及电子设备在审
| 申请号： | 202010818904.0 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112968100A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王涛;沈佳辉;伍凯义 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光 器件 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
外延层；
包覆所述外延层主出光面以外区域的绝缘层；以及
包覆所述绝缘层的钝化层；
其中，所述主出光面为所述外延层与电极设置面相对的表面，所述钝化层的表面具有多个凹凸的粗化结构。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化铝。
3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述钝化层对可见光的折射率小于氧化铝对可见光的折射率。
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述钝化层的材质为二氧化硅。
5.如权利要求1-4任一项所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘层通过原子层淀积ALD工艺制备形成。
6.如权利要求1-4任一项所述的发光器件，其特征在于，所述粗化结构仅设置在所述钝化层与所述主出光面相对的表面上，或，所述粗化结构遍布所述钝化层表面的所有区域。
7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中包括如权利要求1-6任一项所述的发光器件。
8.一种发光器件制备方法，其特征在于，包括：
在外延层主出光面以外的区域上形成绝缘层，所述主出光面为所述外延层与电极设置面相对的表面；
在所述绝缘层上形成钝化层；
对所述钝化层的表面进行粗化处理形成多个凹凸的粗化结构；
对所述钝化层与所述绝缘层进行蚀刻以外露出所述外延层的电极设置区；
在所述电极设置区设置与所述外延层连接的电极。
9.如权利要求8所述的发光器件制备方法，其特征在于，所述对所述钝化层的表面进行粗化处理形成多个凹凸的粗化结构包括：
采用光刻工艺对所述钝化层的表面进行图案化处理形成多个凹凸的粗化结构。
10.如权利要求8或9所述的发光器件制备方法，其特征在于，所述在外延层主出光面以外的区域上形成绝缘层包括：
采用原子层淀积ALD工艺在所述外延层主出光面以外的区域上形成绝缘层。
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