[发明专利]一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构及其制造方法有效
申请号: | 202010819722.5 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN112312654B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 陈先明;洪业杰;黄本霞;冯磊 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/16 | 分类号: | H05K1/16;H05K3/46 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李翔 |
地址: | 519175 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 介质 中的 无源 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构,所述结构包括玻璃基板和嵌埋在所述玻璃基板中的至少一个电容器,所述电容器包括上电极、电介质层和下电极,其中在所述玻璃基板的上表面开设有凹槽,所述电介质层覆盖在所述凹槽的表面上并且所述电介质层的面积大于所述凹槽的面积,所述上电极设置在所述电介质层上,所述电介质层与所述下电极通过贯穿所述玻璃基板的金属通孔柱导通连接。
2.如权利要求1所述的无源器件结构,其中所述上电极的面积大于所述电介质层的面积。
3.如权利要求1所述的无源器件结构,其中所述下电极的面积等于所述凹槽的面积。
4.如权利要求1所述的无源器件结构,其中所述电介质层选自包括Ta2O5、TiO2、BaO4SrTi和Al2O3的组别。
5.如权利要求1所述的无源器件结构,其中所述上电极和所述下电极包括铜层。
6.如权利要求1所述的无源器件结构,其中所述金属通孔柱包括铜通孔柱。
7.如权利要求1所述的无源器件结构,其中在所述玻璃基板的上下表面分别形成有第一线路层和第二线路层。
8.如权利要求7所述的无源器件结构,其中所述无源器件结构还包括嵌埋在所述玻璃基板中的至少一个电感器。
9.如权利要求8所述的无源器件结构,其中所述至少一个电感器包括嵌埋在所述玻璃基板内的环形铜柱。
10.如权利要求9所述的无源器件结构,其中所述至少一个电容器和所述至少一个电感器通过所述第一线路层和/或第二线路层互连。
11.一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构的制造方法,其中所述方法包括以下步骤:
A、在玻璃基板的上表面上形成凹槽;
B、在所述凹槽上施加电介质层,使得所述电介质层完全覆盖所述凹槽;
C、在所述玻璃基板的上表面和所述电介质层上形成第一种子层;
D、在所述第一种子层上形成第一线路层,所述第一线路层包括在所述电介质层上方的上电极;
E、在所述玻璃基板的下表面上开孔;
F、在所述玻璃基板的下表面上镀铜,形成填充所述开孔的铜通孔柱和在所述铜通孔柱下方的第二线路层,其中所述第二线路层包括与所述铜通孔柱导通的下电极。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述步骤A还包括:
a1、在所述玻璃基板的上表面上施加第一光刻胶层;
a2、对所述第一光刻胶层图案化形成凹槽图案;
a3、蚀刻所述凹槽图案,在所述玻璃基板上形成凹槽;
a4、移除所述第一光刻胶层。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述步骤A还包括:
a5、在移除所述第一光刻胶层后,对所述玻璃基板进行激光钻孔,形成蚀刻引导孔。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述步骤B还包括:
b1、在所述玻璃基板的上表面溅射所述电介质层;
b2、在所述电介质层上施加薄铜层;
b3、在所述薄铜层上的预定位置形成蚀刻阻挡层;
b4、蚀刻所述薄铜层和所述电介质层;
b5、移除所述蚀刻阻挡层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中步骤b3还包括:
在所述薄铜层上施加第二光刻胶层,经曝光显影形成所述蚀刻阻挡层。
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