[发明专利]一种铬硅溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202010819727.8 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111996507A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李苛 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/04 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 制备 方法 | ||
1.一种铬硅溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将铬粉以及硅粉混合，并将混合粉料加入模具内压实；
(2)将所述模具在真空条件下烧结，所述烧结包括第一保温阶段、第二保温阶段以及第三保温阶段；
(3)烧结后所述模具在惰性气氛下冷却，得到所述铬硅溅射靶材。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬粉以及硅粉在球磨条件下混合；
优选地，步骤(1)所述球磨的球料比为1:10～12；
优选地，步骤(1)所述混合的时间不低于24h。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬粉的粒度＜45μm；
优选地，步骤(1)所述硅粉的粒度为3～5μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述压实后模具中粉体的平面度＜0.5mm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一保温阶段的真空度小于40Pa；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段的温度为900～1000℃；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段的升温速率为8～10℃/min；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段的时间为1～2h。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一保温阶段升温过程中当真空度大于50Pa时，需泄压至40Pa以下。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二保温阶段的温度为1050～1100℃；
优选地，步骤(2)所述第一保温阶段升温至第二保温阶段的升温速率为5～6℃/min；
优选地，步骤(2)所述第二保温阶段的时间为1～2h。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二保温结束后在60min内加压至210t进行第三保温阶段；
优选地，步骤(2)所述第三保温阶段的时间为2～3h。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述惰性气氛包括氩气、氮气或氦气中的任意一种；
优选地，步骤(3)所述惰性气氛的压力为-0.06～-0.08MPa；
优选地，步骤(3)所述冷却至＜200℃。
10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将铬粉以及硅粉在球磨下混合不低于24h，所述球磨的球料比为1:10～12，所述铬粉的粒度＜45μm，所述硅粉的粒度为3～5μm，并将混合粉料加入模具内压实，压实后模具中粉体的平面度＜0.5mm；
(2)将所述模具在真空条件下烧结，所述烧结包括第一保温阶段、第二保温阶段以及第三保温阶段；
所述第一保温阶段的真空度小于40Pa，温度为900～1000℃，升温速率为8～10℃/min，时间为1～2h；
所述第二保温阶段的温度为1050～1100℃，所述第一保温阶段升温至第二保温阶段的升温速率为5～6℃/min，时间为1～2h；
第二保温结束后在60min内加压至210T进行第三保温阶段，时间为2～3h；
(3)烧结后所述模具在惰性气氛下冷却至＜200℃，惰性气氛的压力为-0.06～-0.08MPa，得到所述铬硅溅射靶材。
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