[发明专利]集成电路装置

说明书

一种集成电路装置，包括：外围电路结构；存储器堆叠件，其包括位于外围电路结构上的在竖直方向上与外围电路结构重叠的多条栅极线；上衬底，其位于外围电路结构与存储器堆叠件之间，上衬底包括位于存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔；字线切割区，其跨过存储器堆叠件和通孔在第一横向上纵长地延伸；以及共源极线，其位于字线切割区中，共源极线包括第一部分和第二部分，第一部分在上衬底上在第一横向上纵长地延伸，第二部分一体地连接至第一部分，第二部分从上衬底的上部通过通孔穿透上衬底并且延伸至外围电路结构中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年9月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0117491的优先权的利益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种集成电路(IC)装置，并且更具体地，涉及一种包括具有外围上单元(cell over periphery，COP)结构的非

易失性存储器装置的IC装置。

背景技术

随着信息通信装置的多功能化，对包括存储装置的大容量、高集成度的IC装置的需求越来越大，存储器单元的大小逐渐缩小，存储器装置中包括的用于实现存储器装置的操作和电连接的操作电路和互连结构变复杂。因此，需要包括存储器装置的IC装置，该IC

装置被配置为提高集成密度并具有良好的电气特性。

发明内容

公开的实施例提供了一种集成电路(IC)装置，其具有提高的集成密度和减小的芯片尺寸，并且被配置为增大布局设计的自由度和提高互连结构的可靠性。

根据本发明构思的一方面，提供了一种IC装置，该IC装置包括：外围电路结构；存储器堆叠件，其包括位于外围电路结构上的在竖直方向上与外围电路结构重叠的多条栅极线；上衬底，其位于外围电路结构与存储器堆叠件之间，上衬底包括位于存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔；字线切割区，其跨过存储器堆叠件和通孔在第一横向上纵长地延伸；以及共源极线，其位于字线切割区中，共源极线包括第一部分和第二部分，第一部分在上衬底上在第一横向上纵长地延伸，第二部分一体地连接至第一部分，第二部分从上衬底的上部通过通孔穿透上衬底并且延伸至外围电路结构中。

根据本发明构思的一方面，提供了一种IC装置，该IC装置包括：外围电路结构，其包括多个电路、连接至所述多个电路的多个外围电路导电互连层以及与多个外围电路导电互连层横向地间隔开的浮置导电互连层；上衬底，其位于外围电路结构上，上衬底包括形成在与浮置导电互连层在竖直方向上重叠的位置处的第一通孔；存储器堆叠件，其具有覆盖第一通孔的存储器单元区和位于存储器单元区的一侧的连接台阶区，存储器堆叠件包括多条栅极线，多条栅极线在竖直方向上与外围电路结构间隔开，上衬底介于多条栅极线和外围电路结构之间；多个字线切割区，其跨过存储器堆叠件和第一通孔在第一横向上纵长地延伸，多个字线切割区中的每一个包括在竖直方向上通过第一通孔穿透上衬底的一部分；以及多个第一穿通电极，其在存储器单元区中在竖直方向上穿透多条栅极线，并且通过第一通孔延伸至多个外围电路导电互连层。

根据本发明构思的一方面，提供了一种IC装置，该IC装置包括：外围电路结构，其包括下衬底，以及形成在下衬底上的多个外围电路导电互连层和浮置导电互连层；存储器单元区，其包括布置在外围电路结构上的多条栅极线；上衬底，其位于外围电路结构和存储器单元区之间，并且包括形成在存储器单元区内的位置处的通孔；共源极线，其包括第一部分和第二部分，第一部分跨过存储器单元区和通孔在第一横向上纵长地延伸，第一部分接触上衬底，第二部分一体地连接至第一部分，并且从上衬底的上部通过通孔延伸至浮置导电互连层；绝缘结构，其穿过存储器单元区中的多条栅极线，并且在竖直方向上延伸；埋置绝缘膜，其填充通孔；以及至少一个穿通电极，其穿过绝缘结构和埋置绝缘膜，并且在竖直方向上纵长地延伸至从所述多个外围电路导电互连层中选择的至少一个外围电路导电互连层。

附图说明