[发明专利]单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备

说明书

本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。

技术领域

本发明属于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，尤其涉及一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备。

背景技术

“在片S参数测试系统”广泛应用于微电子行业。在使用前，需要用在片校准件对在片S参数测试系统进行矢量校准，校准的准确与否依赖于在片校准件定义的准确程度。不同类型的校准件(例如开路校准件、短路校准件、负载校准件以及直通校准件)测量模型中的集总参数的值不同，集总参数一般包括偏置线的延时、特征阻抗、串联电阻、电感、电容和直流电阻。如何获得测量模型中各集总参数的准确量值是定义校准件的关键。然而，目前传统商用在片校准组件的测量模型在低频段以下得到了广泛应用，但随着在片测试频率的升高，采用传统的测量模型对在片测试系统进行校准，校准和测试准确度降低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，旨在解决现有技术中采用传统的测量模型对在片测试系统进行校准，校准和测试准确度降低的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法，包括：

确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型，其中，所述不同在片校准件模型为在原校准件模型中端面的两端分别并联两个表征不同在片校准件串扰的元件；

基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；

根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；

根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；

根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。

作为本申请另一实施例，所述不同在片校准件模型包括：负载校准件模型、开路校准件模型以及短路校准件模型；

所述负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻、表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；其中，所述负载校准件电感的一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电阻的一端和所述表征负载校准件串扰的电容的一端，以构成负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的一端，所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端和所述表征负载校准件串扰的电容的另一端，以构成所述负载校准件模型单端口的另一端；

所述开路校准件模型包括开路校准件电容、表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；其中，所述开路校准件电容的一端分别连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端，以构成开路校准件模型单端口的一端，所述开路校准件电容的另一端分别连接所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端，以构成所述开路校准件模型单端口的另一端；