[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

权利要求书

1.一种基板处理方法，其用于处理基板，其中，

该基板处理方法包括：

磨削所述基板的一面的工序；

测量所述基板的厚度的工序；

对所述一面进行湿蚀刻的工序；以及

在将所述基板翻转之后，对该基板的另一面进行湿蚀刻的工序，

在所述一面的湿蚀刻过程中，基于所述厚度的测量结果使所述基板的面内厚度一致，

在所述另一面的湿蚀刻过程中，使所述基板的厚度减少至目标厚度。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

该基板处理方法包括磨削所述基板的另一面的工序。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述一面的湿蚀刻利用自喷雾喷嘴对所述基板喷射的蚀刻液而进行。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

所述一面的蚀刻量由来自于所述喷雾喷嘴的所述蚀刻液的喷射时间和喷射量控制。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其中，

在所述一面的湿蚀刻过程中，同时对所述另一面供给将所述一面的温度调节为一定的温度调节液。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述基板的在所述一面湿蚀刻后的厚度比所述目标厚度大。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述另一面的湿蚀刻利用自层流喷嘴对所述基板供给的蚀刻液来进行。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述一面的磨削和所述厚度的测量在同一装置内进行。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其中，

基于一个基板的所述厚度的测量结果，对下一个基板的磨削的条件进行反馈控制。

10.一种基板处理系统，其用于处理基板，其中，

该基板处理系统具备：

磨削部，其磨削所述基板的一面；

厚度测量部，其测量所述基板的厚度；

蚀刻部，其对所述基板进行湿蚀刻；

基板翻转部，其翻转所述基板的表背面；以及

控制部，其至少控制所述蚀刻部的动作，

所述控制部控制所述蚀刻部的动作以进行如下处理：

基于所述厚度测量部的测量结果，对所述一面进行湿蚀刻，以使所述基板的面内厚度一致，

在将所述基板翻转之后，对所述基板的另一面进行湿蚀刻，以使所述基板的厚度减少至目标厚度。

11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其中，

所述磨削部对所述基板的另一面进行磨削。

12.根据权利要求10或11所述的基板处理系统，其中，

所述蚀刻部具备对所述基板的一面喷射蚀刻液的喷雾喷嘴。

13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，

所述控制部控制所述蚀刻液对所述一面喷射的喷射时间和喷射量。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的基板处理系统，其中，

所述控制部控制所述蚀刻部的动作，以使所述基板的在所述一面湿蚀刻后的厚度比所述目标厚度大。

15.根据权利要求10～14中任一项所述的基板处理系统，其中，

所述蚀刻部具备：

蚀刻液喷嘴，其对所述基板的另一面供给蚀刻液；

冲洗液喷嘴，其对所述基板的另一面供给冲洗液；以及

气体喷嘴，其对所述基板的另一面供给气体。