[发明专利]一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法有效
申请号: | 202010820770.6 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN111933592B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 张永海;徐鹏卓;魏进家 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学深圳研究院 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 马贵香 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 立体 网状结构 电子器件 散热 结构 制造 方法 | ||
1.一种具有立体网状结构的电子器件散热结构,其特征在于,包括散热板(1),散热板(1)上设置有若干层微米级网状结构,且相邻的两层微米级网状结构之间设置有骨架层,所述微米级网状结构上修饰有纳米级微结构,所述散热板、微米级网状结构以及骨架层的材质均为铜;所述骨架层是丝径500μm,32目的铜网,所述微米级网状结构是丝径120-250μm,60-120目的铜网,且从下层至上层,微米级网状结构的丝径逐渐增大,目数逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构,其特征在于,所述散热板(1)的长度和宽度均为L1,L1的取值为5-50mm。
3.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构,其特征在于,所述微米级网状结构的长度和宽度均为L2,L2的取值为5-50mm。
4.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构,其特征在于,微米级网状结构上修饰纳米级微结构具体为:将由散热板(1)、微米级网状结构以及骨架层共同形成的具有立体网状结构的换热板放入修饰液中,在微米级网状结构上生长纳米级微结构。
5.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构,其特征在于,所述微米级网状结构为N层,且3≤N≤6。
6.根据权利要求5所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构,其特征在于,当N=3时,散热板(1)上依次设置有下层微米级网状结构(2)、第一骨架层(3)、中层微米级网状结构(4)、第二骨架层(5)以及上层微米级网状结构(6);
其中下层微米级网状结构(2)是丝径120μm、120目的铜网,中层微米级网状结构(4)是丝径180μm、80目的铜网,上层微米级网状结构(6)是丝径250μm、60目的铜网;
第一骨架层(3)和第二骨架层(5)均为丝径500μm,32目的铜网。
7.权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将第一层微米级网状结构烧结在散热板(1)上方;
步骤二:将第一骨架层烧结在第一层微米级网状结构上方;
步骤三:将第二层微米级网状结构烧结在第一骨架层上方;
步骤四:将第二骨架层烧结在第二层微米级网状结构上方;
步骤五:将第三层微米级网状结构烧结在第二骨架层上方;
步骤六:以此类推,形成具有立体网状结构的换热板;
步骤七:将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中,在微米级网状结构中生长出纳米级微结构,最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
8.根据权利要求7所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构的制造方法,其特征在于,共包含三层微米级网状结构,具体包括以下步骤:
步骤一:将丝径120μm、120目的铜网作为下层微米级网状结构(2),烧结在散热板(1)上方;
步骤二:将丝径500μm、32目的铜网作为第一骨架层(3),烧结在下层微米级网状结构(2)上方;
步骤三:将丝径180μm、80目的铜网作为中层微米级网状结构(4),烧结在第一骨架层(3)上方;
步骤四:将丝径500μm、32目的铜网作为第二骨架层(5),烧结在中层微米级网状结构(4)上方;
步骤五:将丝径250μm、60目的铜网作为上层微米级网状结构(6),烧结在第二骨架层(5)上方;形成具有立体网状结构的换热板;
步骤六:将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中,在微米级网状结构中生长出纳米级微结构,最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
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