[发明专利]阵列基板母板和检测刻蚀残留的方法有效
申请号: | 202010820923.7 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN111952285B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 李伟华;刘洋;孙剑秋;李阳 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66;H01L27/12;G09G3/00 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 母板 检测 刻蚀 残留 方法 | ||
1.一种阵列基板母板,其特征在于,包括至少一个阵列基板和至少一个测试元件,所述测试元件用于监控所述阵列基板的被监控层的刻蚀残留;所述测试元件包括:
测试走线层,所述测试走线层与所述阵列基板的被监控层同层设置;所述测试走线层包括相邻设置的第一测试走线和第二测试走线,所述第一测试走线和所述第二测试走线均沿第一方向延伸且绝缘;
第一焊盘,位于所述第一测试走线的一端,所述第一焊盘与所述第一测试走线短接,作为所述第一测试走线的测试端子;
第二焊盘,位于所述第二测试走线的一端,所述第二焊盘与所述第二测试走线短接,作为所述第二测试走线的测试端子;其中,通过侦测所述第一焊盘和所述第二焊盘的电学参数测试所述第一测试走线和所述第二测试走线之间是否短接;
所述第一测试走线的数量为至少两条,每条所述第一测试走线的一端均与所述第一焊盘短接;
所述第二测试走线的数量为至少两条,每条所述第二测试走线的一端均与所述第二焊盘短接;
所述第一焊盘和第二焊盘分别位于所述第一测试走线和所述第二测试走线的两侧;
所述第一测试走线与所述第二测试走线每隔M条交替设置,M为正整数;
至少两个所述测试元件构成第三测试元件组;所述第一测试走线和所述第二测试走线均为测试走线;
所述第三测试元件组对应的各测试元件中的所述测试走线的线距均相同;所述第三测试元件组对应的各测试元件中的M的取值均相同;且所述第三测试元件组对应的各测试元件中的所述测试走线的线宽均不相同;
或者,所述第三测试元件组对应的各测试元件中的所述测试走线的线宽均相同;所述第三测试元件组对应的各测试元件中的M的取值均相同;且所述第三测试元件组对应的各测试元件中的所述测试走线的线距均不相同。
2.根据权利要求1所述的阵列基板母板,其特征在于,所述被监控层包括被监控走线,所述被监控走线沿所述第一方向延伸;
所述第一测试走线和所述第二测试走线均为测试走线;所述被监控走线的线宽和所述测试走线的线宽相同;相邻两根所述测试走线的线距与相邻两根所述被监控走线的线距相同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板母板,其特征在于,还包括衬底,所述阵列基板和所述测试元件均设置在所述衬底上;
所述阵列基板还包括:
第一走线层,所述第一走线层设置于所述衬底和所述被监控层之间;所述第一走线层包括至少两条第一走线,所述第一走线沿第二方向延伸;所述第二方向与所述第一方向交叉;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一走线层和所述被监控层之间;对应所述第一绝缘层设置有所述第一走线的区域高于对应所述第一绝缘层未设置有所述第一走线的区域;
所述测试元件还包括:
第二走线层,与所述第一走线层同层设置;所述第二走线层包括至少两条第二走线,所述第二走线沿所述第二方向延伸;
第二绝缘层,与所述第一绝缘层同层设置;对应所述第二绝缘层设置有所述第二走线的区域高于对应所述第二绝缘层未设置有所述第二走线的区域。
4.根据权利要求3所述的阵列基板母板,其特征在于,至少两个所述测试元件构成第一测试元件组;
所述第一测试元件组对应的各测试元件中的所述第二走线的线距均相同,且线宽均不相同;
或者,所述第一测试元件组对应的各测试元件中的所述第二走线的线宽均相同,且线距均不相同。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板母板,其特征在于,所述阵列基板包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
其中,所述第一走线层包括第一金属层和/或第二金属层;所述被监控层包括第三金属层;
所述第一测试走线与所述第二测试走线每隔M条交替设置,M为正整数。
6.根据权利要求1所述的阵列基板母板,其特征在于,至少两个所述测试元件构成第二测试元件组;
所述第一测试走线和所述第二测试走线均为测试走线;所述第二测试元件组对应的各测试元件中的所述测试走线的线宽均相同;所述第二测试元件组对应的各测试元件中的所述测试走线的线距均相同;且所述第二测试元件组对应的各测试元件中的M的取值均不相同。
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