[发明专利]存储装置和其操作方法在审
申请号: | 202010821138.3 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN112783432A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 边谕俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F13/16 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵赫;太香花 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 操作方法 | ||
1.一种存储器控制器,所述存储器控制器控制存储器装置,所述存储器装置包括多个高速写入块和多个普通存储块,所述存储器控制器包括:
高速写入控制器,根据高速写入模式信息和高速写入块信息来生成待存储写入数据的物理地址,所述写入数据与从主机接收的写入请求相对应,所述高速写入模式信息和所述高速写入块信息包括在所述写入请求中;以及
存储器操作控制器,控制所述存储器装置以将所述写入数据存储在与所述物理地址相对应的存储器单元中,
其中所述高速写入模式信息是指示是否将所述写入数据存储在所述多个高速写入块中的信息,并且
所述高速写入块信息是指示所述多个高速写入块之中的待存储所述写入数据的高速写入块的信息,
其中所述多个高速写入块中的第一高速写入块包括每个被编程为存储第一数量的数据位的存储器单元,所述多个高速写入块中的第二高速写入块包括每个被编程为存储第二数量的数据位的存储器单元,并且所述第二数量的数据位不同于所述第一数量的数据位。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述多个普通存储块被编程为存储第三数量的数据位,所述第三数量的数据位大于所述第一数量的数据位并且大于所述第二数量的数据位。
3.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中将所述第一高速写入块中包括的存储器单元编程为单层单元,即SLC,并且将所述多个普通存储块中包括的存储器单元编程为四层单元,即QLC。
4.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中将所述第一高速写入块中包括的存储器单元编程为单层单元即SLC、多层单元即MLC和三层单元即QLC中的任意一个。
5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中将在所述多个普通存储块中包括的存储器单元编程为四层单元,即QLC。
6.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述高速写入块信息包括关于所述多个高速写入块之中的待存储所述写入数据的高速写入块中包括的一个存储器单元中存储的数据位的数量的信息。
7.根据权利要求1所述的存储器控制器,进一步包括映射数据存储装置,所述映射数据存储装置存储关于所述多个普通存储块的物理地址的信息和关于所述多个高速写入块的物理地址的信息。
8.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述高速写入控制器从所述主机接收高速写入清除请求,并且从所述高速写入清除请求获取指示目标块的目标块信息,所述高速写入清除请求指示所述存储器装置移动在所述多个高速写入块之中的所述目标块中存储的数据。
9.根据权利要求8所述的存储器控制器,其中所述高速写入控制器从所述高速写入清除请求获取指示储存块的储存块信息,所述储存块为所述目标块中存储的数据待被存储到的存储块。
10.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中所述存储器操作控制器控制所述存储器装置以将所述目标块中存储的数据移动到所述储存块。
11.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中所述存储器操作控制器控制所述存储器装置以读取所述目标块中存储的数据,并且将所读取的数据编程在所述储存块中。
12.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中能够在所述目标块中包括的存储器单元中存储的数据位的数量不同于能够在所述储存块中包括的存储器单元中存储的数据位的数量。
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