[发明专利]像素阵列基板在审
申请号: | 202010821393.8 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN112420737A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 李珉泽;郑圣谚;钟岳宏;徐雅玲;廖烝贤;戴鹏哲;石秉弘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,其特征在于,包括:
一基底,具有一主动区及该主动区外的一周边区;
多条数据线,设置于该基底上,且在一第一方向上排列;
多个栅极元件,设置于该基底上,且在一第二方向上排列,其中该第一方向与该第二方向交错;
多个像素结构,设置于该基底的主动区上,且电性连接至该些数据线及该些栅极元件;以及
多个转接元件,设置于该基底上,且分别电性连接至该些栅极元件,其中每一该转接元件包括设置于该主动区的一主要部及设置于该周边区的一周边部,且该些转接元件的多个主要部在该第一方向上排列;
该些栅极元件在该第二方向上依序排列,该些栅极元件包括第n个栅极元件及第m个栅极元件,n及m为正整数,且n与m不同;
该些转接元件包括分别电性连接至该第n个栅极元件及该第m个栅极元件的一第n转接元件及一第m转接元件;
每一该转接元件的该周边部包括在该第二方向延伸的一第一直向段,且该第一直向段具有一信号输入端;
该第n转接元件的该周边部更包括一第一横向段,该第一横向段在该第一方向上延伸,该第n转接元件的该周边部的该第一直向段电性连接至该第n转接元件的该周边部的该第一横向段,且该第n转接元件的该周边部的该第一横向段及该第n转接元件的该周边部的该第一直向段分别属于不同的一第一导电层及一第二导电层;
该第m转接元件的该周边部跨越该第n转接元件的该周边部的该第一横向段。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该第n转接元件的该周边部的该第一直向段及该第m转接元件的该周边部的该第一直向段在该第一方向上依序排列,该第n转接元件的该主要部及该第m转接元件的该主要部在一第三方向上依序排列,且该第一方向与该第三方向相反。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该些栅极元件在该第二方向上依序排列,该些栅极元件包括第k个栅极元件,k为正整数,n、m及k互不相同;该些转接元件更包括电性连接至该第k个栅极元件的一第k转接元件;该第k转接元件的该周边部更包括一第一横向段,该第k转接元件的该周边部的该第一横向段在该第一方向延伸,该第k转接元件的该周边部的该第一横向段及该第k转接元件的该周边部的该第一直向段分别属于不同的该第一导电层及该第二导电层;该些转接元件的a个转接元件的该周边部跨越该第n转接元件的该周边部的该第一横向段,该些转接元件的b个转接元件的该周边部跨越该第k转接元件的该周边部的该第一横向段,a及b为正整数,且a与b不同。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该些栅极元件更包括一第p个栅极元件及一第q个栅极元件,该第n个栅极元件、该第m个栅极元件、该第p个栅极元件及该第q个栅极元件在该第二方向上依序排列,p及q为正整数,且nmpq;
该些转接元件更包括分别电性连接至该第p个栅极元件及该第q个栅极元件的一第p转接元件及一第q转接元件,且该第n转接元件的该周边部的该第一直向段、该第m转接元件的该周边部的该第一直向段、该第p转接元件的该周边部的该第一直向段及该第q转接元件的该周边部的该第一直向段在该第一方向上依序排列;
该第q转接元件的该周边部更包括一第一横向段,该第q转接元件的该周边部的该第一横向段由该第q转接元件的该周边部的该第一直向段沿一第三方向延伸,该第一方向与该第三方向相反,该第q转接元件的该周边部的该第一直向段电性连接至该第q转接元件的该周边部的该第一横向段,且该第q转接元件的该周边部的该第一直向段及该第q转接元件的该周边部的该第一横向段分别属于不同的该第一导电层及该第二导电层;
该第p转接元件的该周边部跨越该第q转接元件的该周边部的该第一横向段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的